顯示Cr13型馬氏體不銹鋼晶粒度的腐蝕方法

　　【專利摘要】本發明公開了一種顯示Cr13型馬氏體不銹鋼晶粒度的腐蝕方法。首先按照100ml的飽和苦味酸溶液和0.2～1.5ml的HCl溶液的比例配制腐蝕劑，然后取磨光和拋光好的Cr13型馬氏體不銹鋼試樣，清洗吹干后浸入腐蝕劑中，試樣的檢測面朝上，浸泡20～40s，當檢測面呈暗黃色時取出；然后用10%草酸水溶液清洗檢測面，當檢測面呈灰白色時，再換用流水清洗整個試樣并吹干。該腐蝕方法主要用于腐蝕Cr13型馬氏體不銹鋼，能夠使Cr13型馬氏體不銹鋼在光學顯微鏡下就能夠清晰地觀察到其晶粒度。

　　【專利說明】顯示Cr13型馬氏體不銹鋼晶粒度的腐蝕方法

　　【技術領域】

　　[0001]本發明涉及一種顯示不銹鋼晶粒度的腐蝕方法，特別是涉及了一種顯示Crl3型馬氏體不銹鋼晶粒度的腐蝕方法。

　　【背景技術】

　　[0002]馬氏體不銹鋼是不銹鋼的一種，根據熱處理狀態不同，在使用狀態下一般為回火馬氏體、回火索氏體、鐵素體、碳化物和/或殘余奧氏體等，它含有12%?17%鉻，使鋼具有良好的耐腐蝕性和抗氧化性。本發明中將鉻含量在12%?14%之間的lCrl3、2Crl3等不銹鋼稱為Crl3型馬氏體不銹鋼。由于不銹鋼因其耐腐蝕性能優良、一般的腐蝕劑不能充分顯示其組織特征和組織細節，而且Crl3馬氏體不銹鋼的晶界與晶內馬氏體組織腐蝕性較接近，很難通過簡單的腐蝕方法清晰顯示其晶粒度。

　　[0003]目前，主要是采用金相顯微鏡觀察馬氏體相位來判斷Crl3型馬氏體不銹鋼的晶粒度。但是在現場檢驗中采用上述方法精度不高，無法使用GB/T6394中截點法去準確的評定晶粒度級別。因此，需求提供一種能夠清晰的顯示馬氏體組織晶界的腐蝕劑及腐蝕方法，使得在光學顯微鏡下能夠觀察到Crl3型馬氏體不銹鋼的晶粒度。

　　[0004]2013年I月23日公開的中國發明專利說明書CN102888608A公開了一種顯示細晶粒奧氏體不銹鋼晶界的腐蝕劑及其制備方法，該腐蝕劑包括=H2O:80?150ml ;鹽酸:10?20ml ；FeCl3:15 ?25g ；CuCl2.2Η20:10 ?15g ;冰醋酸:2.0 ?7.0ml ;新吉爾滅:1 ?5 滴。制備方法為:先將CuCl2.2Η20置于燒杯中，然后加入FeCl3，再加入鹽酸、H2O之后，攪拌均勻；最后加入冰醋酸和新吉爾滅，混合均勻。該腐蝕劑對奧氏體晶粒有很強的腐蝕作用，同時由于新吉爾滅這種表面活性劑的加入又延緩了腐蝕劑對基體組織的腐蝕，使其達到了平衡，使得該腐蝕劑能腐蝕奧氏體晶界，而又不會腐蝕到奧氏體基體組織，從而能夠清晰地顯示原始態和熱處理狀態細晶粒奧氏體不銹鋼晶界。但是對馬氏體不銹鋼，由于其晶界和晶內組織的腐蝕性能相近，采用該腐蝕劑對其進行腐蝕的時候，馬氏體晶界和晶內組織全部被腐蝕，不能清晰的顯示馬氏體不銹鋼的晶粒度。

　　【發明內容】

　　[0005]本發明要解決的技術問題是提供一種設計合理、方法簡單、腐蝕過程平穩、腐蝕效果好、腐蝕后的試樣組織顯示清晰、操作安全可靠的顯示Crl3型馬氏體不銹鋼晶粒度的腐蝕方法。

　　[0006]為解決上述技術問題，本發明所述顯示Crl3型馬氏體不銹鋼晶粒度的腐蝕方法，包括包括以下步驟:

　　[0007]首先按照IOOml的飽和苦味酸溶液和0.2?1.5ml的HCl溶液的比例配制腐蝕劑；然后取磨光和拋光好的Crl3型馬氏體不銹鋼試樣，清洗吹干后浸入腐蝕劑中，試樣的檢測面朝上，浸泡20?40s，當檢測面呈暗黃色時取出；然后用10%草酸水溶液清洗檢測面，當檢測面呈灰白色時,再換用流水清洗整個試樣并吹干。[0008]優選地，HCl的質量濃度為36.0%~38.0%。

　　[0009]與現有技術相比，本發明的有益效果如下:

　　[0010]本發明所述顯示Crl3型馬氏體不銹鋼晶粒度的腐蝕方法，其腐蝕劑主要采用苦味酸為主要添加劑，它是腐蝕很好的腐蝕Crl3型馬氏體不銹鋼晶界，而選擇HCl作為輔助添加劑，能對不同組織的腐蝕效果進行調節，可以很好的區分馬氏體不銹鋼晶界和晶內組織。

　　[0011]本發明提供的Crl3型馬氏體不銹鋼晶粒度的腐蝕方法，能夠在光學顯微鏡下就能夠清晰地觀察到Crl3型馬氏體不銹鋼的晶粒度。

　　【專利附圖】

　　【附圖說明】

　　[0012]下面結合附圖和【具體實施方式】對本發明作進一步詳細說明。

　　[0013]圖1是實施例1中制備的腐蝕劑腐蝕lCrl3馬氏體不銹鋼后放大100倍的金相照片

　　[0014]圖2是實施例2中制備的腐蝕劑腐蝕2Crl3馬氏體不銹鋼后放大100倍的金相照片

　　[0015]圖3是現有技術中所采用的腐蝕劑腐蝕ICr 13馬氏體不銹鋼后放大100倍的金相照片

　　【具體實施方式】

　　[0016]下面通過具體實施例對本發明所述的顯示Crl3型馬氏體不銹鋼晶粒度的腐蝕方法作進一步詳細的描述。

　　[0017]實施例1

　　[0018]本實施例采用Crl3型馬氏體不銹鋼試樣的材料為lCrl3，其主要化學元素含量(重量百分比)為:含C量0.08%~0.15%、含Mn量≤0.60%、含Si量≤0.60%、含Cr量12.00% ~14.00%、含 Ni 量≤ 0.60%、含 S 量≤ 0.030%、含 P 量≤ 0.030%、余量為 Fe。

　　[0019]腐蝕劑的配方:100ml的飽和苦味酸溶液；0.5ml的HCl飽和水溶液。

　　[0020]腐蝕劑的制備:首先將100ml的飽和苦味酸溶液置于水浴中保溫一段時間，使苦味酸能充分溶解到水中，水浴溫度為恒定60 ； °C再加入0.5ml的HCl飽和水溶液，攪拌后繼續保溫一段時間，使苦味酸和鹽酸與水互相充分并均勻混合。

　　[0021]腐蝕方法:首先按照上述方法配制腐蝕劑；然后取磨光和拋光好的lCrl3馬氏體不銹鋼試樣，清洗吹干后浸入腐蝕劑中，試樣的檢測面朝上，浸泡30s，當檢測面呈暗黃色時取出；然后用10%草酸水溶液清洗檢測面，當檢測面呈灰白色時，再換用流水清洗整個試樣并吹干。用金相顯微鏡進行lCrl3馬氏體不銹鋼的金相組織觀察，如圖1所示。

　　[0022]實施例2

　　[0023]本實施例采用Crl3型馬氏體不銹鋼試樣的材料為2Crl3，其主要化學元素含量(重量百分比)為:含C量0.16%~0.24%、含Mn量≤0.60%、含Si量≤0.60%、含Cr量12.00% ~14.00%、含 Ni 量≤ 0.60%、含 S 量≤ 0.030%、含 P 量≤ 0.030%、余量為 Fe。

　　[0024]腐蝕劑的配方:100ml的飽和苦味酸溶液；0.5ml的HCl飽和水溶液。

　　[0025]腐蝕劑的制備:首先將100ml的飽和苦味酸溶液置于水浴中保溫一段時間，使苦味酸能充分溶解到水中，水浴溫度為恒定60 ； °C再加入0.5ml的HCl飽和水溶液，攪拌后繼續保溫一段時間，使苦味酸和鹽酸與水互相充分并均勻混合。

　　[0026]腐蝕方法:首先按照上述方法配制腐蝕劑；然后取磨光和拋光好的2Crl3馬氏體不銹鋼試樣，清洗吹干后浸入腐蝕劑中，試樣的檢測面朝上，浸泡30s，當檢測面呈暗黃色時取出；然后用10%草酸水溶液清洗檢測面，當檢測面呈灰白色時，再換用流水清洗整個試樣并吹干。用金相顯微鏡進行2Crl3馬氏體不銹鋼的金相組織觀察，如圖2所示。

　　[0027]圖3是是現有技術中所采用的腐蝕劑腐蝕ICr 13馬氏體不銹鋼后放大100倍的金相照片。通過圖1和圖2與圖3進行對比，明顯可以發現在圖1和圖2中馬氏體晶界明顯，能夠清晰的觀察Crl3型馬氏體不銹鋼的晶粒度，而圖3中馬氏體晶界與馬氏體內部組織區分不明顯，不能觀察清晰的觀察Crl3型馬氏體不銹鋼的晶粒度。

　　【權利要求】

　　1.一種顯示Crl3型馬氏體不銹鋼晶粒度的腐蝕方法，其特征在于，包括以下步驟: 首先按照IOOml的飽和苦味酸溶液和0.2?1.5ml的HCl溶液的比例配制腐蝕劑，然后取磨光和拋光好的Crl3型馬氏體不銹鋼試樣，清洗吹干后浸入腐蝕劑中，試樣的檢測面朝上，浸泡20?40s，當檢測面呈暗黃色時取出；然后用10%草酸水溶液清洗檢測面，當檢測面呈灰白色時,再換用流水清洗整個試樣并吹干。

　　2.根據權利要求1所述顯示Crl3型馬氏體不銹鋼晶粒度的腐蝕方法，其特征在于，所述HCl溶液的質量濃度為36.0%?38.0%。

　　【文檔編號】G01N1/32GK103712844SQ201310689268

　　【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年12月16日 優先權日:2013年12月16日

　　【發明者】吳昊, 陳再鼎, 彭泉興, 張海燕, 易文艷, 杜正榮, 張珂 申請人:貴州安大航空鍛造有限責任公司

　　任意階電平發生器的制造方法

　　【專利摘要】本發明提供了一種任意階電平發生器，所述任意階電平發生器包括：一選擇電路及與所述選擇電路連接的多個MOS管，其中，每個MOS管的柵極與所述選擇電路連接，每個MOS管的源極或者漏極與一電平連接。在本發明提供的任意階電平發生器中，通過多個MOS管并且每個MOS管的源極或者漏極與一電平連接，提供更多階電平（例如三階或者四階等）或者提供不同于測試機所能提供的兩階電平。

　　【專利說明】任意階電平發生器

　　【技術領域】

　　[0001]本發明涉及集成電路制造設備【技術領域】，特別涉及一種任意階電平發生器。

　　【背景技術】

　　[0002]由于日益復雜的集成電路、材料和工藝的迅速引入，在今天的硅片制造中幾乎不可能每個芯片都符合規格要求。為糾正制作過程中的問題，并確保有缺陷的芯片不會被送到客戶手里，在集成電路制造過程中引入了芯片測試(CP，Circuit Probing)。芯片測試是為了檢驗規格的一致性而在硅片級集成電路上進行的電學參數測量和功能測試。測試可以檢驗出各芯片是否具有可接受的電學性能和完整的功能，其測試過程中使用的電學規格隨測試目的的不同而有所不同。如果芯片測試不完善，就可能造成更多的產品在客戶使用過程中失效，最終給芯片制造者帶來嚴重的后果。為此在集成電路的制造過程中引入能夠及早發現工藝問題和將不良的芯片挑選出來的芯片測試是必不可少的。

　　[0003]芯片測試系統通常包括:測試機(Automatic Test Equipment, ATE)、探針卡(Probe Card)及探針臺(Prober),其中，測試機是能夠在被測器件上快速、準確、重復地測量亞微安級電流和毫伏級電壓的自動裝置；探針卡是測試機與被測器件之間的連接裝置；探針臺也稱為芯片定位裝置，可以在X、Y和Z方向調整被測器件的位置。測試時，測試機經由探針卡將電流或電壓信號輸入到探針臺上的被測器件(DUT, Device Under Test)內，然后再將該被測器件對于輸入信號的相應結果返回到測試儀。

　　[0004]通常的，測試機只能輸出兩階電壓，其輸出的電壓范圍一般為-1V到7V。但是，在芯片測試過程中，有時會需要更多階電壓，例如三階、四階等；或者有時需要的兩階電壓與測試機所能提供的電壓不同。因此，如何提供多于兩階的電壓，或者提供其它電壓值的兩階電壓成了本領域技術人員亟待解決的問題。

　　【發明內容】

　　[0005]本發明的目的在于提供一種任意階電平發生器，以解決現有的測試機只能輸出兩階電壓，并且其輸出的電壓范圍一般為-1V到7V，但是，在芯片測試過程中，有時會需要更多階電壓，例如三階、四階等；或者有時需要的兩階電壓值與測試機所能提供的兩階電壓值不同的問題。

　　[0006]為解決上述技術問題，本發明提供一種任意階電平發生器，所述任意階電平發生器包括:一選擇電路及與所述選擇電路連接的多個MOS管，其中，每個MOS管的柵極與所述選擇電路連接，每個MOS管的源極或者漏極與一電平連接。

　　[0007]可選的，在所述的任意階電平發生器中，所述選擇電路通過向柵極提供電平以選中相應的MOS管。

　　[0008]可選的，在所述的任意階電平發生器中，所述選擇電路提供的電平為3.5V?5V。

　　[0009]可選的，在所述的任意階電平發生器中，所述選擇電路為脈沖發生器。

　　[0010]可選的，在所述的任意階電平發生器中，[0011]當MOS管的源極與一電平連接時，該MOS管的漏極向被測器件提供電壓；

　　[0012]當MOS管的漏極與一電平連接時，該MOS管的源極向被測器件提供電壓。

　　[0013]可選的，在所述的任意階電平發生器中，所述MOS管的數量為兩個、三個或者四個。

　　[0014]可選的，在所述的任意階電平發生器中，每個MOS管的源極或者漏極連接的電平值互不相同。

　　[0015]在本發明提供的任意階電平發生器中，通過多個MOS管并且每個MOS管的源極或者漏極與一電平連接，提供更多階電平(例如三階或者四階等)或者提供不同于測試機所能提供的兩階電平。

　　【專利附圖】

　　【附圖說明】

　　[0016]圖1是本發明實施例一的任意階電平發生器的框結構示意圖；

　　[0017]圖2是本發明實施例二的任意階電平發生器的框結構示意圖。

　　【具體實施方式】

　　[0018]以下結合附圖和具體實施例對本發明提出的任意階電平發生器作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。

　　[0019]【實施例一】

　　[0020]請參考圖1，其為本發明實施例一的任意階電平發生器的框結構示意圖。如圖1所示，所述任意階電平發生器包括:選擇電路10及與所述選擇電路10連接的兩個MOS管，分別為MOS管IIa及MOS管11b，其中，每個MOS管的柵極與所述選擇電路10連接，每個MOS管的源極或者漏極與一電平連接。

　　[0021]在本實施例中，所述選擇電路10可以通過向柵極提供電平以選中相應的MOS管，具體的，所述選擇電路10可以為脈沖發生器。例如，所述選擇電路10向所述MOS管Ila提供3.5V的電平，從而使得所述MOS管Ila開啟，實現所述選擇電路10對于所述MOS管Ila的選擇。通常的，MOS管的開啟電壓為3V~5V，因此，優選的，所述選擇電路10提供的電平為3.5V~5V。具體的，例如，所述MOS管的開啟電壓為3V，則所述選擇電路10提供的電平為3.5V或者4V等；所述MOS管的開啟電壓為4V，則所述選擇電路10提供的電平為4V或者4.5V等。此外，若所述MOS管的開啟電壓較大，則相應的，所述選擇電路10可提供較高的電平。

　　[0022]在本實施例中，每個MOS管的源極可以與一電平連接，例如，MOS管Ila的源極與電平3.5V連接，MOS管Ilb的源極與電平7.6V連接，則通過本實施例提供的任意階電平發生器可以向被測器件提供3.5V和7.6V的電平。具體的，MOS管Ila的漏極以及MOS管Ilb的漏極與被測器件連接，通過MOS管Ila的漏極向被測器件提供3.5V電平，通過MOS管Ilb的漏極向被測器件提供7.6V電平。

　　[0023]由此可見，通過本實施例提供的任意階電平發生器可提供不同于測試機所能提供的兩階電平。[0024]【實施例二】

　　[0025]請參考圖2，其為本發明實施例二的任意階電平發生器的框結構示意圖。如圖2所示，所述任意階電平發生器包括:選擇電路20及與所述選擇電路20連接的三個MOS管，分別為MOS管21a、MOS管21b及MOS管21c，其中，每個MOS管的柵極與所述選擇電路20連接，每個MOS管的源極或者漏極與一電平連接。

　　[0026]同樣的，在本實施例中，所述選擇電路20可以通過向柵極提供電平以選中相應的MOS管，具體的，所述選擇電路20可以為脈沖發生器。例如，所述選擇電路20向所述MOS管21a提供3.5V的電平，從而使得所述MOS管21a開啟，實現所述選擇電路20對于所述MOS管21a的選擇。通常的，MOS管的開啟電壓為3V~5V，因此，優選的，所述選擇電路20提供的電平為3.5V~5V。具體的，例如，所述MOS管的開啟電壓為3V，則所述選擇電路20提供的電平為3.5V或者4V等；所述MOS管的開啟電壓為4V，則所述選擇電路20提供的電平為4V或者4.5V等。此外，若所述MOS管的開啟電壓較大，則相應的，所述選擇電路20可提供較高的電平。

　　[0027]在本實施例中，每個MOS管的漏極可以與一電平連接，例如，MOS管21a的漏極與電平3.2V連接，M OS管21b的漏極與電平4.7V連接，MOS管21c的漏極與電平5.4V連接，則通過本實施例提供的任意階電平發生器可以向被測器件提供3.2V、4.7V和5.4V的電平。具體的，MOS管21a的源極、MOS管21b的源極以及MOS管21c的源極與被測器件連接，通過MOS管21a的源極向被測器件提供3.2V電平，通過MOS管21b的源極向被測器件提供4.7V電平，通過MOS管21c的源極向被測器件提供5.4V電平。

　　[0028]由此可見，通過本實施例提供的任意階電平發生器可提供更多階電平。

　　[0029]綜上所述，在本發明實施例提供的任意階電平發生器中，通過多個MOS管并且每個MOS管的源極或者漏極與一電平連接，可提供更多階電平(例如三階或者四階等)或者提供不同于測試機所能提供的兩階電平。

　　[0030]上述描述僅是對本發明較佳實施例的描述，并非對本發明范圍的任何限定，本發明領域的普通技術人員根據上述揭示內容做的任何變更、修飾，均屬于權利要求書的保護范圍。

　　【權利要求】

　　1.一種任意階電平發生器，其特征在于，包括:一選擇電路及與所述選擇電路連接的多個MOS管，其中，每個MOS管的柵極與所述選擇電路連接，每個MOS管的源極或者漏極與一電平連接。

　　2.如權利要求1所述的任意階電平發生器，其特征在于，所述選擇電路通過向柵極提供電平以選中相應的MOS管。

　　3.如權利要求2所述的任意階電平發生器，其特征在于，所述選擇電路提供的電平為3.5V ?5V。

　　4.如權利要求1所述的任意階電平發生器，其特征在于，所述選擇電路為脈沖發生器。

　　5.如權利要求1所述的任意階電平發生器，其特征在于， 當MOS管的源極與一電平連接時，該MOS管的漏極向被測器件提供電壓； 當MOS管的漏極與一電平連接時，該MOS管的源極向被測器件提供電壓。

　　6.如權利要求1所述的任意階電平發生器，其特征在于，所述MOS管的數量為兩個、三個或者四個。

　　7.如權利要求1?6中任一項所述的任意階電平發生器，其特征在于，每個MOS管的源極或者漏極連接的電平值互不相同。

　　【文檔編號】G01R1/28GK103675372SQ201310689269

　　【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年12月16日 優先權日:2013年12月16日

　　【發明者】顧春華, 劉遠華, 王錦, 祁建華 申請人:上海華嶺集成電路技術股份有限公司