今天給各位分享mo源是什么材料的知識，其中也會對mo源主要用途進行解釋，現在開始吧！

南大光電4項業務：MO源、光刻膠、電子特氣、ALD前驅體產品

為了寫完光刻膠的研究任務，挑了南大光電， 本文寫完的時候也是一個月前，一直放到草稿箱里到今天才發 ，所以一些信息可能沒更新（比如南大光電的光刻膠通過的客戶認證）。

公司的主營業務主要有MO源、光刻膠、電子特氣、ALD前驅體產品。

我想此刻我們的心情是一樣的。

為了了解這2個英文字母+1個漢字，估計我得對各個概念如剝筍般層層研究。首先看MO源，即“高純金屬有機源”，是制備LED、新一代太陽能電池、相變存儲器、半導體激光器、射頻集成電路芯片等的核心原材料，在半導體照明、信息通訊、航天等領域有極重要的作用。公司2010年在國內MO源的市場份額60%，全球15%。

它的下游客戶，帶“光電”二字的公司很多，可以進一步了解到，這個東西應該主要應用于光電子行業，如LED和太陽能電池。

好了，雖然不知道這個東西，但至少可以了解到它是做半導體的某種核心基本材料，看樣子是不可或缺的。而且公司是這一塊的絕對龍頭（都60%市占率了還能說啥？）。

MO源“是利用先進的金屬有機化學氣相沉積（以下簡稱‘MOCVD’）工藝生成化合物半導體材料的關鍵支撐原材料，因而又被稱為MOCVD的‘前體物’。MO源的質量直接決定了最終器件的性能，因此MOCVD工藝對MO源的質量要求很高，其中純度是衡量MO源質量的關鍵指標。”

氣相沉積不難理解，我個人通俗理解是，用化學氣體或蒸汽附在材料上，形成一個涂層。化合物半導體就是之前我在《三安光電年報解讀》中講到的SiC、GaN之類。所以我對MO源這句話的通俗理解就是：為了做出SiC之類的第三代半導體，你得用上氣相沉積（MOCVD）工藝，那為了用好這個工藝，你得用上高純度的MO源。

MO源有60多種，三甲基鎵和三甲基銦是最主要的兩種MO源，其中又以三甲基鎵的用量最大，使用比例在80%左右，三甲基銦使用比例平均不超過10%。

招股書繼續寫道：

看到這里林北清楚多了：三安、乾照等LED外延片供應商，使用的是MOCVD技術，把MO源上的原材料附著在襯底上，外延生長出化合物半導體，也就是我們常說的LED外延片。事實上，90%以上的MO源都被用于生產LED外延片。所以，對MO源市場前景的判斷，關鍵就看LED的市場前景，而其需求又和MOCVD設備直接相關。

話雖如此，往后的報表卻很不樂觀。LED后來進入產能過剩階段，MO源價格也跟著講，毛利也從80%陸續下降到70%、60%、50%，其中用量最大的三甲基鎵的毛利率更是從上市前最高70%掉到6%。

即電子特種氣體，號稱半導體生產過程中的“糧食”。具體可以看一下林北寫過的《華特氣體年報解讀》。

公司于2013年成立了全椒南大材料，2016年才完成高純磷烷、砷烷產品的產線建設；2019年直接并購山東飛源，又獲得了三氟化氮、六氟化硫的生產能力。特氣業務增長迅速，17年開始每年營業額是3600萬、7800萬、1.64億，已經比MO源還多，毛利率也穩定在50%左右。

特氣這個行業不太好理解，主要是氣體太多太雜，各個環節要用到的氣體也不一樣。在《華特氣體年報解讀》一文中，林北明確表示對特氣公司只看不投，因為真的不懂。

2016年公司參股了北京科華微電子材料有限公司，經過筆者研究，北京科華應該是目前國內技術實力最強的光刻膠企業，唯一一家通過了EUV光刻膠“02專項”研發。但是現在在北京科華的工商信息上，看不到南大光電了，記錄顯示是2019年初轉讓掉的。

2018年，“193nm光刻膠及配套材料關鍵技術開發項目”和“ArF光刻膠開發和產業化項目”獲得國家02專項的正式立項，獲得中央財政撥款1.3億。公司新設了光刻膠事業部，成立“寧波南大光電材料有限公司”。

總而言之，公司雖然有光刻膠的概念，但并沒有實際開展業務，而且充滿不確定性。不像晶瑞股份等是從g線、i線開始做，而是一上來就搞ArF，而且都處在“專項科研”階段。

說它是業務有點勉強，它是公司16年和 科技 部簽訂的一個研究項目“ALD金屬有機前驅體產品的開發和安全離子注入產品開發”。前驅體就是一個東西之前的形態，就像暴龍獸之前是亞古獸，再之前是滾球獸一樣，額，這是我的理解。

ALD即原子層沉積，前面講到氣相沉積，就相當于給襯底烘一層蒸汽讓物質附在上面，而ALD更厲害，直接以單原子膜的形式一層一層地附在上面。ALD懂了，前驅體懂了，ALD前驅體是什么，抱歉，我還沒看懂。

南大光電是一家典型的高 科技 公司，所以林北只研究了它的行業，用來輔助最近的光刻膠行業調查任務，并沒有對財務進行分析。總而言之，南大光電之前做MO源，但最近這門生意好慘。為了走出困境，公司積極布局電子特氣行業，經過3年努力，特氣的業務已經超過了老業務MO源。

然后是我關心的光刻膠行業，作為南大的校企（大股東南京大學資產經營有限公司），公司也理所當然地能拿到國家科研專項任務，一上來就高舉高打研發ArF光刻膠，這可是中國目前沒有辦法供應的產品，同樣還在研發的還有北京科華和容大感光。當然，所有這些公司都還在研發中，還沒有一家投放市場，接著光刻膠的概念，好幾年股價震蕩的南大光電迎來大漲。

2019年1月，南大光電賣掉了北京科華的股份，價值1.7億，獲得了近2000萬投資收益，占利潤總額的28.87%，多好的一只母雞就這么被賣掉了，現在公司多了一家技術NB的競爭者。但筆者不是公司高管，對此舉不好評論。

國產光刻膠成功突破，粉碎日本壟斷夢

近日，半導體領域迎來重磅消息，南大光電的ArF光刻膠取得突破，國產光刻膠終于來了！

南大光電光刻膠突破

早在5月30日，南大光電就已經發布公告稱，公司自主研發的ArF光刻膠產品通過客戶認證，具備55nm工藝要求。

7月2日，有報道稱，南大光電的ArF光刻膠產品目前已經拿到了小批量訂單。

這都在表明，國產光刻膠終于不再受制于人，而是實現國產化了。

芯片在制造過程中，除了硅這種主要材料之外，一些輔助材料也至關重要，其中有一種名為光刻膠的材料，在芯片制造過程中必不可少，然而，這個材料卻長期被日本壟斷，中國也在這方面一直被卡脖子。

而最近傳出的一個消息，對我國半導體的發展非常不利，日本對中國供應的光刻膠出現了“斷供”的現象。美國召開G7峰會后，日本宣布光刻膠斷供中國，日本信越化學等光刻膠企業開始限制供應ArF光刻膠產品。

斷供光刻膠，對半導體行業的人而言并不陌生，2019年日韓貿易沖突白熱化，日本就斷供了光刻膠，導致當時全球最大的芯片廠商三星陷入了困境之中。

雖然韓國積極向日本低頭求和并開展自救，但芯片生產依然受到巨大影響，間接推動了2020年的芯片短缺。

巧婦難為無米之炊，沒有了光刻膠，對于中國的晶圓廠而言是巨大的打擊，芯片生產將被迫停止！

好在，光刻膠的國產化進程并不慢，日企斷供短短半年時間，南大光電就已經將國產光刻膠投入市場中了。

南大光電，成立于2000年12月，是以南京大學國家863計劃研究成果作為技術支持的中國高純金屬有機化合物MO源的產業化基地。

1986年，863計劃啟動，在高濟宇院士的支持和指導下，學者孫祥禎牽頭進行MO源的技術攻關。MO源是一種禁運物資，更是生產化合物半導體的源頭材料，對我國國防安全、高 科技 民族工業有重要意義。

歷經重重困難，孫祥禎帶領的課題組終于研制出了純度大于5.5N的多個品種的MO源，全面向國內近20家研究單位供貨，緩解了我國對MO源的急求。

這項工藝不僅促進了國防工業的發展，更為國內化合物半導體材料的發展奠定了原始的基礎。

孫祥禎退休后，帶領年輕人創立了南大光電，注冊資本3770萬元，生產擁有自主知識產權的高純金屬有機化合物，是國內唯一實現MO源產業化的企業，公司的技術主要來源便是南京大學863計劃中的項目。

公司主要產品有三甲基鎵，三甲基銦，三甲基鋁，二茂鎂等十幾種MO源，在產品的合成、純化、分析、封裝、儲運及安全操作等方面已達到國際先進水平，產品遠銷日本、韓國、歐洲市場，并占有大陸70%的市場份額。

作為國內唯一將半導體光學原材料實現量產的企業，南大光電對于光刻膠可以說十分熟悉，也是最有可能突破光刻膠技術的企業。

中國半導體在崛起

光刻膠到底是做什么用的呢？

芯片生產過程中，需要用光學材料將數以萬計的電路刻在小小的7nm的芯片上，而這種輔助的光學材料，就是光刻膠。

在光刻膠領域，材料主要分為四種，分別為g線、i線、KrF、ArF光刻膠，半導體工藝越高，光刻機的精度越高，照射的光線頻率越高，波長越短。

光刻膠的分辨率會隨著光線頻率的改變而不斷變化，基本的演進路線是：g線（436nm） i線（365nm） KrF（248nm） ArF（193nm） F2（157nm） EUV（

其中，ArF光刻膠的制造難度是最高的，這也是14nm/7nm芯片制造過程中不可或缺的原材料。

芯片的工藝也分等級，平板電腦、 汽車 芯片等工藝水平并不高，這各等級的芯片中國已經實現了從光刻機到芯片的完全自主化生產。真正困難的在于7nm的芯片，也就是華為遭到斷供的手機芯片。

這種工藝的手機芯片，不僅需要荷蘭ASML先進的EVU光刻機來生產，更需要高端的光刻膠作為輔助材料，以及大量的芯片原材料，才能成功生產出華為手機所需要的芯片。

光刻機被美國和荷蘭的公司壟斷，現在EVU光刻機對中國處于斷供狀態，中芯國際花了12億購買的EVU光刻機至今仍未到貨；

芯片原材料，雖然國內已有部分原材料實現自主生產，但是硅片、光掩模、電子特氣、拋光材料、濺射靶材、光刻膠以及濕電子化學品這其中原材料完全依賴進口。

在全球光刻膠市場，日本東京應化，JSR，住友化學，信越化學等企業，掌握了全球半導體光刻膠市場的90%左右份額，幾乎是壟斷的狀態。

方正證券的報告顯示，中國大陸企業在全球光刻膠領域占有率不到13%，在半導體光刻膠領域更是不足5%，完全被日本卡了脖子！

但是，進入2021年以后，中國半導體行業國產化的趨勢越來越強！

首先是光刻機領域，上海微電子已經實現28nm光刻機的量產，預計2022年可以交付，這款光刻機的性能與荷蘭ASML的DVU光刻機相似，可以生產14nm制程工藝的芯片。

另外，美國雖然斷供了最先進的EVU光刻機，但是制程工藝相對較低的DVU光刻機卻沒有斷供，而荷蘭ASML也明確表態過，EVU光刻機也可以用于7nm工藝芯片，英特爾的10nm工藝、臺積電第一個7nm芯片，都是用DVU光刻機實現。

這意味著，2022年，現有的光刻機技術或許能夠提前量產華為所需的7nm芯片，打破美國封鎖。

而生產7nm工藝芯片所需要的ArF光刻膠，在7月2日就已經有國外企業向南大光電訂購了，這意味著半導體光刻膠原材料也實現了自主化。

另外，南大光電，容大感光、上海新陽等國內企業，也在持續研發高端光刻膠，爭取在現有技術上進一步突破，追上日本的光刻膠技術。

剩下的6種完全依賴進口的原材料，國內的企業肯定也已經發現了商機，正在朝著國產化轉變；最關鍵的兩項技術突破后，中國實現手機芯片國產化的日子也就不遠了。

空談誤國、實干興邦，中國的半導體行業，正在默默地奮力追趕，一如這次南大光電突然給市場來個驚喜一樣，未來還將會看到更多的一鳴驚人的突破。

中國半導體，正在以驚人的速度崛起！

作者 | 金萊

我國氮化鎵生產巨頭

國內有多家氮化鎵龍頭企業，各自有主打產品，并沒有某一個企業壟斷了一種化工原料的現象出現。下面梳理一下國內比較知名的氮化鎵企業。

一、三安光電

化合物半導體代工，已完成部分GaN的產線布局，是氮化鎵的龍頭。三安光電主要從事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料、微波通訊集成電路與功率器件、光通訊元器件等的研發、生產與銷售，產品性能指標居國際先進水平。

二、聞泰科技

其安世入股的Transphorm獲得了車規級認證，車載GaN已經量產，全球最優質的氮化鎵供應商之一。

公司主營通訊和半導體兩大業務板塊，目前已經形成從芯片設計、晶圓制造、半導體封裝測試到產業物聯網、通訊終端、筆記本電腦、IoT、汽車電子產品研發制造于一體的龐大產業布局。通訊業務板塊包括手機、平板、筆電、IoT、汽車電子等領域。

三、耐威科技

公司目前的第三代半導體業務主要是指GaN(氮化鎵)材料的生長與器件的設計，公司已成功研制8英寸硅基氮化鎵外延晶圓，且正在持續研發氮化鎵器件。

北京耐威科技股份有限公司以傳感技術為核心，緊密圍繞物聯網、特種電子兩大產業鏈，一方面大力發展MEMS、導航、航空電子三大核心業務，一方面積極布局無人系統、第三代半導體材料和器件等潛力業務，致力于成為具備高競爭門檻的一流民營科技企業集團。

公司主要產品及業務包括MEMS芯片的工藝開發及晶圓制造、導航系統及器件、航空電子系統等，應用領域包括通信、生物醫療、工業科學、消費電子、航空航天、智能交通等。

公司業務遍及全球，客戶包括特種電子用戶以及全球DNA/RNA測序儀巨頭、新型超聲設備巨頭、網絡通信和應用巨頭以及工業和消費細分行業的領先企業。

四、南大光電

公司的高純磷烷、砷烷研發和產業化項目已經列入國家科技重大專項。高純磷烷和高純砷烷都是LED、超大規模集成電路、砷化鎵太陽能電池的重要原材料。

MO源是MOCVD技術生長化合物半導體超薄型膜材料的支撐材料。化合物半導體主要用于制造高亮度發光管、高遷移率晶體管、半導體激光器、太陽能電池等器件，在紅外探測、超高速計算機等方面的應用也有著光明的前景。

五、海陸重工

旗下江蘇能華微電子科技發展有限公有專業研發、生產以氮化鎵( GaN)為代表的復合半導體高性能晶圓，并用其做成功率器件。

蘇州海陸重工股份有限公司位于江蘇省張家港市開發區，是國內一流的節能環保設備的專業設計制造企業，目前并已初步形成鍋爐產品、大型壓力容器、核電設備、低溫產品、環保工程共同發展的業務格局。

擴展資料

一、氮化鎵在新型電子器件中的應用

GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN多種異質結構。

用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管（MESFET）、異質結場效應晶體管(HFET)、調制摻雜場效應晶體管（MODFET）等新型器件。

調制摻雜的AlGaN/GaN結構具有高的電子遷移率(2000cm2/vs)、高的飽和速度(1107cm/s)、較低的介電常數，是制作微波器件的優先材料；GaN較寬的禁帶寬度(3.4eV) 及藍寶石等材料作襯底，散熱性能好，有利于器件在大功率條件下工作。

二、氮化鎵在光電器件中的應用

GaN材料系列是一種理想的短波長發光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質結GaN藍色 LED之后，InGaN/AlGaN雙異質結超亮度藍色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問世。

目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍色和綠色 LED已進入大批量生產階段，從而填補了市場上藍色LED多年的空白。以發光效率為標志的LED發展歷程見圖3。

藍色發光器件在高密度光盤的信息存取、全光顯示、激光打印機等領域有著巨大的應用市場。隨著對Ⅲ族氮化物材料和器件研究與開發工作的不斷深入，GaInN超高度藍光、綠光LED技術已經實現商品化，現在世界各大公司和研究機構都紛紛投入巨資加入到開發藍光LED的競爭行列。

什么是MO源？MO源國內主要提供廠商有哪些？

MO源 （metalorganic source）種類繁多，在研究和生產中使用過的MO源超過70多種， MO源概念已超出金屬有機化合物的范圍，現在MO源的含義應是：凡在MOCVD外延技術中作為基本材料使用的金屬或元素有機化合物統稱為MO源，因此MO源在外國文獻中常籠統地稱為“MOCVD的前體物（Precursor）”。但是在化合物半導體材料研發和生產中，除Ⅴ、Ⅵ族元素的氫化物（如NH3、AsH3、H2Se等）外，MOCVD工藝使用的高純基礎材料主要是Ⅱ、Ⅲ族的金屬有機化合物（如TMGa、DMCd等）和Ⅴ、Ⅵ族元素有機化合物（TBP、TBAs等），目前在MOCVD工藝中使用的Ⅴ、Ⅵ族材料仍是元素的氫化物為主。

據我所知，中國做的最好的應該是南大光電了。

江蘇南大光電材料股份有限公司（股票代碼：300346），成立于2000年，坐落于蘇州工業園區，是一家專業從事高純電子材料研發、生產和銷售的高新技術企業 ，主要產品有MO源、特種氣體（砷烷、磷烷）、安全源（負離子注入源）等。

南大光電是目前國內唯一MO源大規模產業化生產的企業，亦是全球四大MO源制造商之一。 南大光電擁有完善的質量管理體系，公司已經通過ISO9001：2008質量管理體系認證、ISO14001:2004環境管理體系認證以及OHSAS18001：2007職業健康與安全管理體系認證。公司產品得到全球用戶廣泛認可，已經成功進入了中國大陸、臺灣地區、韓國、美國、日本、歐洲等主要市場。

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