本篇文章給大家談談導磁材料si是什么，以及材料中si的作用對應的知識點，希望對各位有所幫助。

導磁材料的介紹

本項目研制出廉價的高導磁（Fe Si B）98(Cu Nb)2非晶合金，晶成分優選及最佳熱處理工藝， 退火后材料的磁性能達到昂貴的坡莫合金IJ79的國家標準。 技術狀況：該材料除具有IJ 79合金的高導磁性外，飽和磁感應強度較IJ79顯著提高。本材料研制的飽和型內正反饋放大器的輸入輸出特性優于IJ79合金制成的該類磁放大器，主要表現在輸入輸出特性曲線的工作區斜率大、特性曲線的負向在較大的負信號區域沒有翹起，接近磁放大器輸入輸出特性的理想曲線。用本材料研制的磁感應加熱器熱效率高，可在250kHz的高頻電源下使用。

si半導體 是什么意思

就是硅基半導體,Si是化學元素硅,

硅基半導體是以硅材料為基礎發展起來的新型材料。包括絕緣層上的硅材料、鍺硅材料、多孔硅、微晶硅以及以硅為基底異質外延其他化合物半導體材料等。

導磁材料是什么意思

導磁材料也稱鐵磁材料，電機磁路的鐵磁材料主要是硅鋼片。鐵磁材料的磁導串對磁 場具有非線性，在磁化過程中還有不可邊性和隘滯現象，在交變磁場作用下出現磁滯損耗和渦流損耗。

解釋電力電子器件si產品和sic的區別

SI器件和SIC器件的比較兩者主要是性能不同。

SiC是什么?

碳化硅(SiC)是一種Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或 -SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目;另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱為-SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、。大的Eg使SiC可以工作于650℃以上的高溫環境，并具有極好的抗輻射性能。

相比于Si器件，SiC功率器件的優勢：

作為一種寬禁帶半導體材料，SiC對功率半導體可以說是一個沖擊。這種材料不但擊穿電場強度高、熱穩定性好，還具有載流子飽和漂移速度高、熱導率高等特點。具體來看，其導熱性能是Si材料的3倍以上;在相同反壓下，SiC材料的擊穿電場強度比Si高10倍，而內阻僅是Si片的百分之一。SiC器件的工作溫度可以達到600℃，而一般的Si器件最多能堅持到150℃。

因為這些特性，SiC可以用來制造各種耐高溫的高頻大功率器件，應用于Si 器件難以勝任的場合。以SiC肖特基二極管為例，它是速度最快的高壓肖特基二極管，無需反向恢復充電，可大幅降低開關損耗、提高開關頻率，適用于比采用硅技術的肖特基二極管高得多的操作電壓范圍，例如，600V SiC肖特基二極管可以用在SMPS中，300V SiC肖特基二極管可以用作48~60V快速輸出開關電源的整流二極管，而1，200V SiC肖特基二極管與硅IGBT組合后可以作為理想的續流二極管。

采用硅材料的MOSFET在提高器件阻斷電壓時，必須加寬器件的漂移區，這會使其內阻迅速增大，壓降增高，損耗增大。阻斷電壓范圍在1，200~1，800V的硅MOSFET不僅體積大，而且價格昂貴。IGBT雖然在高壓應用時可降低導通功耗，但若開關頻率增加時，開關功耗亦隨之增大。因此IGBT在高頻開關電源上亦有其本身的限制。而用SiC做襯底的MOSFET，可輕易做到1，000～2，000伏的MOSFET，其開關特性(結電容值，開關損耗，開關波型等)則與100多伏的硅MOSFET相若，導通電阻更可低至毫歐值。在高壓開關電源應用上，完全可取代硅IGBT并可提高系統的整體效率以及開關頻率。

價格差異：

單就Si器件和SiC器件的價差來看，確實有較大的差異，但如果從SiC器件帶來的系統性能提升來看，將會發現其帶來的總體效益遠遠超過兩類器件的價差。在SiC特別適合的高壓應用中，如果充分發揮SiC器件的特性，這一整體優勢表現得非常明顯。

為什么硅能提高鐵導磁？

硅是鋼的良好脫氧劑，它與氧結合，使氧轉變為穩定的不為碳還原的SiO2，避免了因氧原子摻雜而使鐵的晶格畸變。硅在鐵中成為固溶體后使電阻率增加，同時有助于將有害雜質碳分離出來。因此，一般含雜質的鐵加入硅后能提高磁導率、降低矯頑力和鐵損。但含硅量增加又會使材料變硬變脆，導熱性和韌性下降，對散熱和機械加工不利，故一般硅鋼片的含硅量不超過4.5%。

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