今天給各位分享si2n4是什么材質的知識，其中也會對si3n4晶體結構進行解釋，現在開始吧！

1Cr20Ni14Si2是什么材料？

1Cr20Ni14Si2(2014不銹鋼)

具有較高的高溫強度及抗氧化性，對含硫氣氛敏感，在600C----800C時有脆化傾向，適用于制作爐用構件?？估瓘姸龋?90MPa、硬度：≤187

化學成分：

C:≤0.2

Si:≤1.5～2.5

Mn:≤1.5

S:≤0.03

P:≤0.035

Cr:≤19～22

Ni:≤12～15

力學性能：

抗拉強度b(MPa)：≥590

條件屈服強度0.2(MPa)：≥295

伸長率5(%)：≥35

斷面收縮率(%)：≥50

硬度：≤187HB

熱處理規范及金相組織：

熱處理規范：固溶1080～1130℃快冷。

金相組織：組織特征為奧氏體型。

交貨狀態：一般以熱處理規范狀態交貨，其熱處理種類在合同中注明；未注明者，按不熱處理狀態交貨。

半導體光刻工藝之刻蝕——濕法腐蝕

在濕法腐蝕的過程中，通過使用特定的熔液與需要腐蝕的薄膜材料進行化學反應，進而除去沒有被光刻膠覆蓋區域的薄膜。

濕法腐蝕的優點是工藝簡單，但是在濕法腐蝕中所進行的化學反應沒有特定方向，所以會形成各向同性的腐蝕效果。各向同性是濕法腐蝕固有的特點，也可以說是濕法腐蝕的缺點。濕法腐蝕通常還會使位于光刻膠邊緣下邊的薄膜也被腐蝕，這也會使腐蝕后的線條寬度難以控制，選擇合適的腐蝕速度，可以減小對光刻膠邊緣下邊薄膜的腐蝕。

在進行濕法腐蝕的過程中，熔液里的反應劑與被腐蝕薄膜的表面分子發生化學反應，生成各種反應產物。這些反應產物應該是氣體，或者是能溶于腐蝕液中的物質。這樣，這些反應產物就不會再沉積到被腐蝕的薄膜上?？刂茲穹ǜg的主要參數包括：腐蝕溶液的濃度、腐蝕的時間、反應溫度以及溶液的攪拌方式等。由于濕法腐蝕是通過化學反應實現的，所以腐蝕液的濃度越高，或者反應溫度越高，薄膜被腐蝕的速率也就越快。此外，濕法腐蝕跌反應通常會伴有放熱和放氣。反應放熱會造成局部反應溫度的升高，使反應速度加快；反應速率加快又會加劇反應放熱，使腐蝕反應處于不受控制的惡性循環中，其結果將導致腐蝕的圖形不能滿足要求。反應放氣產生的氣泡會隔絕局部的薄膜與腐蝕的接觸，造成局部的反應停止，形成局部的缺陷。因此，在濕法腐蝕中需要進行攪拌。此外，適當的攪拌（例如使用超聲波震蕩），還可以在一定程度上減輕對光刻膠下方薄膜的腐蝕。

目前常用的濕法腐蝕的材料包括：Si，SiO2和Si2N4等，下面我們將對此進行簡要討論。

一、Si的濕法腐蝕

在濕法腐蝕Si的各種方法中，大多數都是采用強氧化劑對Si進行氧化，然后利用HF酸與SiO2反應來去除SiO2，從而達到對硅的腐蝕目的。最常用的腐蝕溶劑是硝酸與氫氟酸和水（或醋酸）的混合液，化學反應方程式為

Si+HNO3+6HF——H2SiF4+HNO2+H2O+H2

其中，反應生成的H2SiF4可溶于水。在腐蝕液中，水是作為稀釋劑，但最好用醋酸（CH3COOH），因為醋酸可以抑制硝酸的分解，從而使硝酸的濃度維持在較高的水平。對于HF-HNO3混合的腐蝕液，當HF的濃度高而HNO3的濃度低時，Si膜腐蝕的速率由HNO3濃度決定（即Si的腐蝕速率基本上與HF濃度無關），因為這時有足量的HF去溶解反應中生成的SiO2.當HF的濃度低而HNO3濃度高時，Si腐蝕的速率取決于HF的濃度（即取決于HF溶解反應生成的SiO2的能力）。

對Si的濕法腐蝕還可以用KOH的水溶液與異丙醇（IPA）相混合來進行。對于金剛石或閃鋅礦結構，（111）面的原子比（100）面排的更密，因而（111）面的腐蝕速度應該比（100）面的腐蝕速率小。 采用SiO2層作為掩膜對（100）晶向的硅表面進行腐蝕，可以得到V形的溝槽結構。如果SiO2上的圖形窗口足夠大，或者腐蝕的時間比較短，可以形成U形的溝槽。如果被腐蝕的是（110）晶向的硅片，則會形成基本為直壁的溝槽，溝槽的側壁為（111）面。這樣就可以利用腐蝕速率對晶體取向的依賴關系制得尺寸為亞微米的器件結構。不過，這種濕法腐蝕的方法大多采用在微機械元件的制造上，在傳統的集成電路工藝中并不多見。

二、SiO2的濕法腐蝕

SiO2的濕法腐蝕可以使用氫氟酸（HF）作為腐蝕劑，其反應方程式為：

SiO2+6HF——SiF4+2H2O+H2

在上述的反應過程中，HF不斷被消耗，因此反應速率隨時間的增加而降低。為了避免這種現象的發生，通常在腐蝕液中加入一定的氟化氨作為緩沖劑（形成的腐蝕液稱為BHF）。氟化氨分解反應產生HF，從而維持HF的濃度。NH4F分解反應方程式為

NH4F——NH3+HF

分解反應產生的NH3以氣態被排除掉。

在集成電路工藝中，除了需要對熱氧化和CVD等方式得到的SiO2進行腐蝕外，還需要對磷硅玻璃（簡稱PSG）和硼磷硅玻璃（簡稱BPSG）等進行腐蝕。因為這些二氧化硅層的組成成分并不完全相同，所以HF對這些SiO2的腐蝕速率也就不完全一樣。基本上以熱氧化方式生成的二氧化硅層的腐蝕速率最慢。

三、Si3N4的濕法腐蝕

Si3N4也是一種常用濕法腐蝕的材料。Si3N4可以使用加熱的磷酸（130-150度的H3PO4）來進行腐蝕。磷酸對Si3N4的腐蝕速率通常大于對SiO2的腐蝕速率。

16cr20Ni14Si2是什么材質

16Cr20Ni14Si2具有較高的高溫強度及抗氧化性不銹鋼，對含硫氣氛敏感，在600C----800C時有脆化傾向，適用于制作爐用構件。

化學成分：

C:≤0.2

Si:≤1.5～2.5

Mn:≤1.5

S:≤0.03

P:≤0.035

Cr:≤19～22

Ni:≤12～15

力學性能：

抗拉強度b(MPa)：≥590

條件屈服強度0.2(MPa)：≥295

伸長率5(%)：≥35

斷面收縮率(%)：≥50

硬度：≤187HB

熱處理規范及金相組織：

熱處理規范：

固溶1080～1130℃快冷。

金相組織：

組織特征為奧氏體型。

交貨狀態：

一般以熱處理規范狀態交貨，其熱處理種類在合同中注明；未注明者，按不熱處理狀態交貨。

什么是鎳合金N2,N4,N6,N8,DN

純鎳牌號：

一、概述

純鎳在許多酸性和堿性的環境中都表現出良好的耐蝕性，多被應用在還原性介質中。特別能耐堿的腐蝕,不論在高溫或熔融的堿中都比較穩定，所以主要用于制堿工業。在常溫下,鎳在海水和yan類溶液及有機介質（如脂肪酸、酚、醇等）中ji為穩定。不耐無機酸腐蝕，在醋酸和蟻酸中也不穩定。

二、特性:

鎳zui大的特點是耐堿性介質的腐蝕，如苛性鉀，苛性鈉等，此被廣泛，應用于離子膜燒堿工藝，與大多數合金相比，鎳在干燥的氟中的耐蝕性良好。鎳還成功應用于常溫到540℃的干燥氯氣和氯化氫中。

也可應用在靜止的氫氟酸溶液。具有優秀的力學性能和優良的耐腐蝕性，較高的熱和電導率，低氣體含量和蒸汽壓力。

鎳在相對較寬的溫度范圍內有著良好的機械性能，易于冷加工，加工特性與低碳鋼相近。

三、用途：

充電電池組中的連接片、ji耳、引出片、截流片、鎳氫電池，鋰電池，ji耳，電動工具

組合電池、聚合物電池、動力電池、電子產業、手提電腦、手機、無繩電動工具、電動自行車

電動助力車、傳呼機、MP3、數碼相機及錄像機、鎳鎘、鎳氫、鎳電池、組合電池及儀器儀表

電訊、電真空、特種燈泡等

四、耐腐蝕性

特別能耐堿的腐蝕,不論在高溫或熔融的堿中都比較穩定，所以主要用于制堿工業。

在常溫下,鎳在海水和yan類溶液及有機介質（如脂肪酸、酚、醇等）中ji為穩定。不耐無

機酸腐蝕，在醋酸和蟻酸中也不穩定。

? ? ?N4/N6鎳帶對美guo牌號：N4，N6?對應的是ASME II?中的Ni201和Ni200,?即低碳純鎳和普通純鎳（即N4 ，Ni201，? N6，Ni200）。

鎳帶執行標準：N4/N6純鎳帶生產執行標準GB/T2072-2007

鎳帶狀態（維氏硬度）：硬態（Y），半硬（Y2）,1，4硬（Y4），軟態（M）。

鎳帶規格：寬帶：2~330mm?厚度：0.05~1mm??長度：=3000mm

鎳帶的包裝、標志、運輸和儲存按GB88888。

鎳帶純度：99.95%以上

鎳帶特性：具有良好的光澤、延展性、可焊性

N4，N6純鎳帶的區別：N4，N6的區別是在于C的含量即:?分別低碳純鎳和普通純鎳

N4，N6?對應的是ASME II?中的Ni201和Ni200,?即低碳純鎳和普通純鎳

（即N4 /Ni201，? N6/Ni200）

N4 ??Ni%=99.9%, ????????C%=0.01%Max,

N6? ?Ni%=99.5%-99.6% ??C%=0.10%Max

按照GB2054-2005規定，N4和N6的區別在于：

1、化學成分，N4 C含量小于0.02%? N6 C含量小于0.15%，其余元素含量相同；

2、力學性能，在M態，N4 Rm≥350MPa，N6? Rm≥380MPa

備注：N4和N6如上所示，主要是C含量的不同，N4稱為低碳純鎳，其余元素含量相同，由于N4的低碳性，適于一些特定情況下使用，所以好與客戶溝通下使用環境或用途，以避免不必要的麻煩。

純鎳帶：含鎳量在99.95%以上，純鎳擁有優良的機械特性和在多種不同環境中均有較高的抗蝕功能，還擁有磁致伸縮性及磁性、高傳熱性、高導電性、低氣體量及低蒸氣壓力等特點。具有良好的點焊性能，拉伸張力高，操作方便．電阻率低（筆記本電池組組合shou選）可通過50A以上電流，是動力電池組組合shou選本產品主要用于制造鎳氫電池，鋰電池，組合電池與電動工具，通訊信息，特燈等行業。

如何去除太陽能電池上面的那層透明物質？

指的是抗反射膜嗎？材料可能是Si3N4或SiOx，比較難去除哦

Si2N4要用熱磷酸去除，SiOx用HF酸去除

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