本篇文章給大家談談c0g電容是什么材質，以及C0G陶瓷電容對應的知識點，希望對各位有所幫助。

電容的材質C0G與NP0一樣嗎？

陶瓷電容分為I類瓷介電容和II類瓷介電容，C0G和NP0都是I類陶瓷電容，X7R、X5R、Y5U、Y5V都是II類瓷介電容。

I類瓷介電容特點是容量穩定性好，基本不隨之溫度、電壓、時間的變化而變化，但是容量一般較小；溫度特性(溫度范圍:-55度～125度、溫度系數：030ppm/℃以內。

II類瓷介電容的容量穩定較差，X7R(工作溫度范圍：-55--125),X5R(工作溫度范圍：-55--85度)，Y5U、Y5V（工作溫度范圍：-30--85度），但是容量相對較大，目前技術最大可達6.3V-100uF/25V-47uF的水平。

所以應用在對容量穩定性有要求的場合就選I類電容：NP0,C0G.用在一般的濾波場合選X7R，因為容量變化率相對其他II類瓷介電容小一些。

貼片電容材質NPO和COG怎么區分？

貼片電容全稱為多層片式陶瓷電容器，相當于一個絕緣體，在直流電路中能起到斷路的作用，在SMT加工行業中是最常用的電子元件之一。

貼片電容主要分為NPO貼片電容、X7R貼片電容、X5R貼片電容，它們之間的區別主要在于填充的介質不同，在相同的體積下由于填充介質不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質損耗、容量穩定性等也就不同。所以在使用電容器時應根據電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。

一、NPO貼片電容

NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷貼片電容。它的填充介質是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。

NPO貼片電容是電容量和介質損耗最穩定的電容器之一。在溫度從-55℃到125℃時容量變化為030ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于0.3C。NPO電容的漂移或滯后小于0.05%，相對大于2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。

封 裝 DC=50V DC=100V

0805 0.5---1000pF 0.5---820pF1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF1210 560---5600pF 560---2700pF2225 1000pF---0.033F 1000pF---0.018FNPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。

二、X7R貼片電容

X7R貼片電容被稱為溫度穩定型的陶瓷貼片。當溫度在-55℃到 125℃時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。

X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，大約每10年變化1%C，表現為10年變化了約5%。

X7R電容器主要應用于要求不高的工業應用，而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。

封 裝 DC=50V DC=100V

0805 330pF---0.056F 330pF---0.012F

1206 1000pF---0.15F 1000pF---0.047F

1210 1000pF---0.22F 1000pF---0.1F

2225 0.01F---1F 0.01F---0.56F

三、X5R貼片電容

X5R貼片電容被稱為高容值電容器擔當。當溫度在-55℃到 85℃時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。X5R貼片電容主要應用于要求不高的工業應用，而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做得比較大。下表給出了X5R電容器可選取的容量范圍。0.1uF~220uF之間，耐壓值在4V~50V之間。

在選擇貼片電容，不僅要看質量價格，還要看貼片電容屬于哪一類型，根據電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器，以實現貼片電容的最高價值。

C0G介質的貼片電容都可以用于高頻電路嗎

C0G介質的貼片電容也叫NPO介質的貼片電容

NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。

NPO電容器是電容量和介質損耗最穩定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時容量變化為030ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于0.3C。NPO電容的漂移或滯后小于0.05%，相對大于2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。

封 裝 DC=50V DC=100V

0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

1210 560---5600pF 560---2700pF

2225 1000pF---0.033F 1000pF---0.018F

NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。

軍用鉭電容介質一般有哪些，那個性能好？ CG與COG是否一致，2R1和X7R又有什么區別？

1.鉭電容器的工作介質是在鉭金屬表面生成的一層極薄的五氧化二鉭膜。在鉭電容器工作過程中，具有自動修補或隔絕氧化膜中的疵點所在的性能，使氧化膜介質隨時得到加固和恢復其應有的絕緣能力，而不致遭到連續的累積性破壞。這種獨特自愈性能，保證了其長壽命和可靠性的優勢。但這種鉭電容有個最大的缺點，就是抗過流（指紋波電流）能力很弱，非常容易爆炸，所以設計時千萬別放在電源的入口。

2.?這幾年新推出了一種聚合物鉭電容，這種鉭電容抗過流能力強，而且不會爆炸。基美和AVX都有生產，但因為價格成本原因目前用戶并不太多。

3.?軍用鉭電容的結構工藝和生產工藝是一樣的，只是在軍用設備里對溫度要求抗震要求比較高，所以軍用設備里電解電容的用量相對少一些，而且軍用設備很少考慮設計成本，所以有的軍用設備就大量地使用鉭電容來代替鋁電解電容,這樣對電容量要求就比較大，對耐壓要求也高，前兩天剛跟一個生產鉭電容的廠家一起討論鉭電容的一些問題，從中了解到他們在給海南一個軍工企業供應鉭電容，電容的材料沒有太大區別，具體技術他們沒有透露，只是容量、耐壓、外形都很大，有680UF/35V，470UF/35V,這種電容市場上是沒有賣的。

4.我了解到的C0G屬于CG組里的一種，?屬1類陶瓷介質，也就是說C0G（注意是數字0不是字母O)是陶瓷電容的一種，電氣性能穩定，基本上不隨時間、溫度、電壓變化，適用于高可靠、高穩定的高額、特高頻場合。

特性：

電容范圍?1pF～0.1uF?(10.2V?rms?1MHz)

環境溫度：?-55℃～+125℃?組別：CG

溫度特性：?030ppm/℃

損耗角正切值：?15x10-4

絕緣電阻：?≥10G

抗電強度：?2.5倍額定電壓?5秒?浪涌電流：≤50毫安

5.X7R屬于EIA標準里的二類陶瓷電容，其相同體積下，X7R的容量做的比C0G大很多，C0G只能做小容量的，一般常見的就1000P以下，X7R容量今年應該可以做到102-22UF,我們有在使用，2R1應該是沒有的，現在新出的還有X8R,無論是C0G、X7R、Y5V?，都只是用于制作陶瓷電容的材質特性，詳細如下表：

6.各種電容的特性對比請參考下表：分別是陶瓷電容、固態電容、鉭電容、鋁電解電容的對比

（不知道如何插入多張圖片，如有需要請提供郵箱地址，我給您發過去）

c0g電容是什么材質的介紹就聊到這里吧，感謝你花時間閱讀本站內容。