今天給各位分享fz300c是什么材質的知識，其中也會對zyf300什么材料進行解釋，現在開始吧！

金剛石能否代替芯片的基體材料硅？

金剛石要能代替芯片的基本材料硅的話，母豬都能上樹。在半導體發展 歷史 上，最初流行鍺半導體，不久就被硅半導體打敗，最終硅統治了半導體王國，鍺半導體僅在少數領域刷存在感。實話實說，金剛石雖然能俘虜女人的心，但在半導體行業人士眼里，商業價值甚至比不過鍺。

下面，我條分縷析，一一解析原因。

要替代硅，元素含量必須豐富，容易開采

硅被稱為“上帝賜給人類的財富”，原因之一是，它占地殼總質量的26.4%，是僅次于氧的含量第二豐富的元素，隨便抓起一把沙子、泥土，拿起一塊石頭，里面都含有大量的硅的氧化物——二氧化硅。

相比之下，鍺的含量只有100萬分之7，含量十分稀少，而且幾乎沒有比較集中的鍺礦，

這就造成鍺的開采成本是硅的幾百倍，商業價值很低。

金剛石雖然有集中的金剛石礦，但含量太少了。2015年，全球半導體級的多晶硅需求超過6萬噸，每年都在增長。想要替代硅的話，上哪去找每年6萬多噸的金剛石？

金剛石提純難

金剛石含有或多或少的雜質，要去除這些雜質，以目前的 科技 ，很難做到。而硅的提純相對容易得多，將硅石在電弧爐中熔化，用碳或石墨還原，得到硅含量98.5%的工業硅（又叫“金屬貴”），然后粉碎成微細粉末，與液態氯化氫（不是鹽酸，鹽酸是氯化氫的水溶液）在大約300攝氏度發生反應，生成三氯氫硅，經蒸餾、精制，獲得很高的純度，然后將高純三氯氫硅與超高純氫發生還原反應，得到純度99.999999999%的多晶硅（比純金多7個9），然后拉制單晶硅。

一根直徑12英寸（目前最大）的單晶硅棒，高約2米，重約350公斤，純度99.999999999%，相當于100億個硅原子中，允許1個雜質原子存在。

從上述過程可以看出，硅的提純就是一系列連續的氧化、還原反應。要讓化學反應產生，元素的化學性質需要相對活潑，但金剛石的主要成分是碳元素，碳的化學性質遠不及硅活潑，難以進行去除雜質的氧化、還原反應，純度提升很難。

金剛石加工難

在提純難關之后，加工的難題才是最大的難題。制作芯片前，單晶硅棒需要切成薄片，硅的硬度雖然高，但可以利用自然界最硬的物質金剛石進行切割。

但，用金剛石做芯片基體材料，切割將是難題，用金剛石切割金剛石，效率低，費用高，只能用硬度更高的人造物質。

目前已知硬度最高的人造物質是碳炔，硬度是金剛石的40倍，但還處于試驗階段，未到大規模商業化階段。如何將金剛石切片，現在還沒有很好的解決辦法。

就算不久的將來，碳炔能順利商用，金剛石能被切成薄片，真正的難題來了：如何制造絕緣膜？

在硅片上制造絕緣膜非常方便，將硅片放到900攝氏度左右的高溫水蒸氣環境中，硅片就會與氧發生熱氧化反應，在表面生長硅氧化膜——二氧化硅（玻璃的主要成分），然后對其涂抹光刻膠，進行刻蝕，再配合其它工藝和材料，就可以得芯片。硅氧化膜具有不吸潮、耐酸堿、導熱性好、光學性能穩定、絕緣性能良好的特點（感覺抽象的，腦想想玻璃的特點），是芯片制作的前提，而且通過硅這種基體材料就可以方便地得到硅氧化膜，正是因為硅氧化膜如此重要，得來又如此容易，加上硅含量豐富，所以硅才被稱為“上帝賜給人類的財富”。

金剛石做芯片基體的話，氧化膜從那里來？金剛石本身是純碳，其氧化物是二氧化碳，常溫下是氣態，充當絕緣？那是不可能的，一形成人家就跑到空氣中逍遙自在了。用其它氧化物？試驗驗證、工藝流程研發、設備改造，花錢海去了，還不一定能成功。

總之，用金剛石做芯片基體材料，不僅含量少，而且加工極難，商業價值極低，由于這些缺點，根本不可能取代硅在芯片行業的地位。

回答這個問題，必須弄清三方面問題：

我認為， 金剛石不能代替芯片的基體材料硅 。

哪些材料能用于芯片基體？

能用于制作芯片基體的半導體材料有如下幾類：

由上述分類可以看出，金剛石的確是半導體材料，有做成芯片基體的潛能。接下來需要考慮，金剛石能否滿足芯片對基體材料的要求。

金剛石能否替代硅？

這個問題需要從兩者的化學特性和工業制作成本來考慮。

一、化學特性對比

硅有無定形硅和晶體硅兩種同素異形體，晶體硅為灰黑色，無定形硅為黑色，密度2.32-2.34克/立方厘米，熔點1410 ，沸點2355 ，晶體硅屬于原子晶體。不溶于水、硝酸和鹽酸，溶于氫氟酸和堿液。硬而有金屬光澤。

硅的電導率與其溫度有很大關系，隨著溫度升高，電導率增大，在1480 左右達到最大，而溫度超過1600 后又隨溫度的升高而減小。

金剛石它是一種由碳元素組成的礦物，是碳元素的同素異形體，金剛石是自然界中天然存在的最堅硬的物質。其結構是正八面體晶體，晶體中每個碳原子都以sp3雜化軌道與另外4個相鄰的碳原子形成共價鍵，每四個相鄰的碳原子均構成正四面體。晶體類型金剛石中的CC鍵很強，所有的價電子都參與了共價鍵的形成，沒有自由電子，所以金剛石硬度非常大，不導電，熔點在3815 。金剛石在純氧中燃點為720~800 ，在空氣中為850~1000 。

二、工業制作對比

1.原料成本

硅也是極為常見的一種元素，然而它極少以單質的形式在自然界出現，而是以復雜的硅酸鹽或二氧化硅的形式，廣泛存在于巖石、砂礫、塵土之中。硅在宇宙中的儲量排在第八位。在地殼中，它是第二豐富的元素，構成地殼總質量的26.4%，僅次于第一位的氧（49.4%）。

世界上有20多個國家賦存有金剛石礦產，主要分布在澳大利亞、非洲西部和南部，以及俄羅斯的亞洲部分。目前，全世界金剛石產量每年超過100百萬克拉，其中寶石級15%，近寶石級38%，工業級47%。

相比于硅的來源，金剛石因存量少，原料成本是相當高的。

2.制作成本

金剛石的出產是很復雜的，它需要經過采礦、粉碎、沖洗、沉淀、挑選、分類、切割、打磨以及拋光等諸多工序之后才能出現在市場上。從開采的大塊巖石中將鉆石分離出來是相當困難的。即使有先進的技術，發掘的過程仍然十分復雜。而生產一顆切磨好的1克拉重的金剛石，必須從鉆石礦藏中挖出至少約250噸的礦土進行加工處理而成。

金剛石還因硬度太高，難以加工；此外，相比于單晶硅，金剛石提純工藝復雜，很難提純到6個9或7個9的等級。

總結

金剛石從理論上來說，是可以作為芯片基體材料的。但是，從工業制作的角度來說，原料儲存少、加工難度大的金剛石，不適合替代硅制作芯片，即便制作出來了，價格也是難以承受的。

特殊情況，特殊對待。一般是沒有那么替的

不會，因為它不具備半導體特性，而且加工提純困難。

碳化硅（SIC）是半導體界公認的“一種未來的材料”，是新世紀有廣闊發展潛力的新型半導體材料。預計在今后5 10年將會快速發展和有顯著成果出現。促使碳化硅發展的主要因素是硅（SI）材料的負載量已到達極限，以硅作為基片的半導體器件性能和能力極限已無可突破的空間。而金剛石雖然說本質也是碳，但原子排列不一樣，目前不能代替芯片材料！至少是幾十年以內！

未來碳基芯片有可能替代硅基芯片。

金剛石是可以代替芯片的基體材料硅。

硅被采用作為芯片的基本材料，第一個是因為它儲量巨大。硅在自然界并不單獨存在，最常見的化合物是二氧化硅和硅酸鹽，廣泛存在于巖石、砂礫和塵土。如此作為芯片制造的基本材料，是非常容易得到。

第二個原因是硅提純技術發展成熟，人類可以生產近乎完美的硅晶體

第三個原因是硅性質穩定，包括化學性質和物理性質。例如曾經做過芯體材料的鍺，當溫度達到75 以上時，其導電率有較大變化。對于芯片而言，此現象將會引發其性能的穩定性。硅相比鍺，就優秀的多。

盡管硅有如此多的優點，作為半導體材料，用來制作芯片的基本組件晶體管。但是，隨著現代經濟的發展，在越來越多的需要提高速度、減少延遲和光檢測的應用中，硅正在達到性能的極限。為此需要尋求新材料的突破，從而制造全新的芯片。

金剛石，俗稱鉆石，如果用純天然的鉆石制造芯片，價格昂貴，且芯片總體數量是可預估的。但是金剛石原料的儲量是可以依靠人造鉆石來解決。

其次，在性質表現方面，鉆石作為半導體材料具有最好的絕緣耐壓性和最高的熱傳導率。人們通常觀念里認為鉆石不導電，該說法不嚴謹，實際上鉆石電阻非常大。但是目前日本研究員在鉆石中摻進雜質解決了該問題，并首次制成雙極型晶體管，為研究節能半導體元件開辟了道路。

設想鉆石作為半導體制作的手機芯片出現，由于耐受高溫的特性，電子元器件的老化會得到有效遏制，自然智能手機的電子壽命會延長。其次該芯片能夠減少發熱量，手機會變得更薄，省下來的空間也可以用來提升手機性能。這僅僅是手機領域，像重工業和航天工業借助鉆石芯片受惠更多。

金剛石是可以替代硅的，只是目前還存在一定的技術難度，需要科研人員努力 探索 。

硅的性質，氧化二氧化硅，可作絕緣材料，單晶硅，滲其它元素后，形成極性，可外延可，氣相疊加，可化學刻錄圖案，而金剛石，是碳，有以工能嗎，如有氣相疊加單晶硅，有可以作極性材料，一是散熱率，二導電率。

對這個問題我們首先分析這兩種材料的特性之后再做判斷。

一、硅

化學成分

硅是重要的半導體材料，化學元素符號Si。電活性雜質磷和硼在合格半導體和多晶硅中應分別低于0.4ppb和0.1ppb。拉制單晶時要摻入一定量的電活性雜質，以獲得所要求的導電類型和電阻率。重金屬銅、金、鐵等和非金屬碳都是極有害的雜質，它們的存在會使PN結性能變壞。硅中碳含量較高，低于1ppm者可認為是低碳單晶。碳含量超過3ppm時其有害作用已較顯著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉硅單晶氧含量在5 40ppm范圍內；區熔硅單晶氧含量可低于1ppm。

硅的性質

硅具有優良的半導體電學性質。禁帶寬度適中，為1.12電子伏。載流子遷移率較高，電子遷移率為1350厘米2/伏秒，空穴遷移率為480厘米2/伏秒。本征電阻率在室溫(300K)下高達2.3 105歐厘米,摻雜后電阻率可控制在104 10-4 歐厘米的寬廣范圍內，能滿足制造各種器件的需要。硅單晶的非平衡少數載流子壽命較長,在幾十微秒至1毫秒之間。

熱導率較大。化學性質穩定，又易于形成穩定的熱氧化膜。在平面型硅器件制造中可以用氧化膜實現PN結表面鈍化和保護，還可以形成金屬-氧化物-半導體結構,制造MOS場效應晶體管和集成電路。上述性質使PN結具有良好特性，使硅器件具有耐高壓、反向漏電流小、效率高、使用壽命長、可靠性好、熱傳導好，并能在200高溫下運行等優點。

技術參數

硅單晶主要技術參數有導電類型、電阻率與均勻度、非平衡載流子壽命、晶向與晶向偏離度、晶體缺陷等。

導電類型 　導電類型由摻入的施主或受主雜質決定。P型單晶多摻硼，N型單晶多摻磷,外延片襯底用N型單晶摻銻或砷。

電阻率與均勻度 　拉制單晶時摻入一定雜質以控制單晶的電阻率。由于雜質分布不勻，電阻率也不均勻。電阻率均勻性包括縱向電阻率均勻度、斷面電阻率均勻度和微區電阻率均勻度。它直接影響器件參數的一致性和成品率。

非平衡載流子壽命 　光照或電注入產生的附加電子和空穴瞬即復合而消失，它們平均存在的時間稱為非平衡載流子的壽命。非平衡載流子壽命同器件放大倍數、反向電流和開關特性等均有關系。壽命值又間接地反映硅單晶的純度，存在重金屬雜質會使壽命值大大降低。

晶向與晶向偏離度 　常用的單晶晶向多為 (111)和(100)（見圖）。晶體的軸與晶體方向不吻合時，其偏離的角度稱為晶向偏離度。

單晶硅的制作

硅單晶按拉制方法不同分為無坩堝區熔(FZ)單晶與有坩堝直拉(CZ)單晶。區熔單晶不受坩堝污染，純度較高，適于生產電阻率高于20歐厘米的N型硅單晶（包括中子嬗變摻雜單晶）和高阻 P型硅單晶。由于含氧量低，區熔單晶機械強度較差。

大量區熔單晶用于制造高壓整流器、晶體閘流管、高壓晶體管等器件。直接法易于獲得大直徑單晶，但純度低于區熔單晶，適于生產20歐厘米以下的硅單晶。由于含氧量高,直拉單晶機械強度較好。大量直拉單晶用于制造MOS集成電路、大功率晶體管等器件。外延片襯底單晶也用直拉法生產。硅單晶商品多制成拋光片，但對FZ單晶片與CZ單晶片須加以區別。外延片是在硅單晶片襯底（或尖晶石、藍寶石等絕緣襯底）上外延生長硅單晶薄層而制成，大量用于制造雙極型集成電路、高頻晶體管、小功率晶體管等器件。

單晶硅的應用

單晶硅在太陽能電池中的應用，高純的單晶硅是重要的半導體材料。在光伏技術和微小型半導體逆變器技術飛速發展的今天，利用硅單晶所生產的太陽能電池可以直接把太陽能轉化為光能，實現了邁向綠色能源革命的開始。

二、金剛石

金剛石俗稱“金剛鉆”。也就是我們常說的鉆石的原身，它是一種由碳元素組成的礦物，是碳元素的同素異形體。金剛石是自然界中天然存在的最堅硬的物質。金剛石的用途非常廣泛，例如：工藝品、工業中的切割工具。石墨可以在高溫、高壓下形成人造金剛石。也是貴重寶石。

化學性質

金剛石是在地球深部高壓、高溫條件下形成的一種由碳元素組成的單質晶體，是指經過琢磨的金剛石。金剛石是無色正八面體晶體，其成分為純碳，由碳原子以四價鍵鏈接，為目前已知自然存在最硬物質。由于金剛石中的C-C鍵很強，所有的價電子都參與了共價鍵的形成，沒有自由電子，所以金剛石硬度非常大，熔點在華氏6900度，金剛石在純氧中燃點為720~800 ，在空氣中為850~1000 ，而且不導電。

結構性質

金剛石結構分為；等軸晶系四面六面體立方體與六方晶系鉆石。

在鉆石晶體中，碳原子按四面體成鍵方式互相連接，組成無限的三維骨架，是典型的原子晶體。每個碳原子都以SP3雜化軌道與另外4個碳原子形成共價鍵，構成正四面體。由于鉆石中的C-C鍵很強，所以所有的價電子都參與了共價鍵的形成，沒有自由電子，所以鉆石不僅硬度大，熔點極高，而且不導電。在工業上，鉆石主要用于制造鉆探用的探頭和磨削工具，形狀完整的還用于制造手飾等高檔裝飾品，其價格十分昂貴。

結論：金剛石不能代替芯片的基體材料硅。

不要再提 豫金剛石 啦，它已經被關啦

七喜AW300C可以換顯卡嗎?

七喜 AW300C 主要性能設計類型 光驅內置

產品類型 家用

CPU類型 Celeron-M(Yonah-533)

迅馳技術 不支持

標稱頻率 1.6GHz

CPU描述 Yonah(單核心)

二級緩存 2048KB

主板描述 I945GM

屏幕尺寸 12.1英寸

屏幕描述 WXGA(1280800)

是否寬屏 是

內存類型 DDRII

內存大小 256MB

七喜 AW300C 存儲性能硬盤大小 60GB

硬盤描述 SATA

光驅類型 康寶

軟驅描述 無

七喜 AW300C 視頻/音頻顯卡類型 集成顯卡

顯卡芯片 Intel GMA 950

音頻系統 Intel High Definition Audio、內建全雙工 3D 立體音效設備、內建高品質麥克風和立體揚聲器

七喜 AW300C 輸入輸出WLAN性能 3945ABG 無線網卡（選配）

網卡描述 100Mbps網卡

調制解調器 56K

標準接口 1個VGA顯示輸出接口、4個USB2.O接口、1個TV-OUT、1個IEEE1394、 1個調制解調器和1個局域網絡插孔、2個音頻插孔，音頻輸出（兼SPDIF接口）/麥克風輸入孔、1個PCI Express支持 Type Ⅱ PC卡插槽、1個四合一讀卡器

七喜 AW300C 電能規格電池類型 6芯鋰電池

七喜 AW300C 環境要求工作溫度 0-40℃

工作濕度 20%-80%

存儲溫度 -20-60℃

存儲濕度 10%-90%

七喜 AW300C 基本特征外殼材質 鎂合金

外形尺寸 29922024～32mm

筆記本重量 1800g

七喜 AW300C 其他特性操作系統 DOS

上市日期 2006

附帶軟件 隨機光盤及驅動程序

隨機附件 電源適配器、軟件光盤、說明書

筆記本的集成顯卡是無法更換顯卡的，獨顯一般也都是焊死的，無法更換

李寧的羽毛球拍300C怎么樣？？？

呵呵，朋友，你能問300C會不會太硬，說明您對李寧羽拍還是有所了解的。首先老生常談，李寧的部分羽拍是按照ABC排列的，A軟，B適中，C硬。再者， 李寧的材質都比較號，最便宜的球拍360元能買個高剛性碳纖維的，480元能買個超高剛性碳纖維。最后我幫你把bp300的測評做一下： BP300系列售價1180元，在李寧專營店就能買到，不像BP301系列只用于電子商務銷售。 科技：立體編織系列BP300C，進攻型高端羽毛球拍，免釘孔，機翼恒定系統，納米技術，全方位力學優化拍框等 材料科技：立體編織碳+超導納米

長度：675MM

平衡點:296-304

拉線磅數：20-26磅

規格;W2/S2

中桿彈性：硬 如果您力量不大的話，如果非要選擇李寧的羽拍的話，我還是建議你用稍微便宜的，市場售價760元，貨號 李寧TB201B

拍子破風結構，揮拍速度快，也質保到26鎊。如果你覺得便宜的話，可以考慮下和300C價位差不多的，最新款空氣導流槽的，質保磅數28磅的拍子。

電線的標識字母是什么？

記住常用線纜是沒問題的。br/br/ 我國的電線電纜的型號是7組字母和數字組成的， 第一組由一個到二個字母組，表示導線的類別、用途。br/br/ 如：A-安裝線、B-布電線、C-船用電纜、K-控制電纜、N-農用電纜、R-軟線、U-礦用電纜、Y-移動電纜、JK-絕緣架空電纜、M-煤礦用、ZR-阻燃型、NH-耐火型、ZA-A級阻燃 、ZB-B級阻燃、ZC-C級阻燃、WD-低煙無鹵型 。br/br/ 第三組是一個字母，表示絕緣層， 如：V—PVC塑料、YJ—XLPE絕緣、X—橡皮、?Y—聚乙烯料 、F—聚四氟乙烯 nbsp。

探究的一般過程是從發現問題、提出問題開始的,發現問題后,根據自己已有的知識和生活經驗對問題的答案作出假設．設計探究的方案,包括選擇材料、設計方法步驟等．按照探究方案進行探究,得到結果,再分析所得的結果與假設是否相符,從而得出結論．并不是所有的問題都一次探究得到正確的結論．有時,由于探究的方法不夠完善,也可能得出錯誤的結論．因此,在得出結論后,還需要對整個探究過程進行反思．探究實驗的一般方法步驟：提出問題、做出假設、制定計劃、實施計劃、得出結論、表達和交流．

科學探究常用的方法有觀察法、實驗法、調查法和資料分析法等．

觀察是科學探究的一種基本方法．科學觀察可以直接用肉眼,也可以借助放大鏡、顯微鏡等儀器,或利用照相機、錄像機、攝像機等工具,有時還需要測量．科學的觀察要有明確的目的；觀察時要全面、細致、實事求是,并及時記錄下來；要有計劃、要耐心；要積極思考,及時記錄；要交流看法、進行討論．實驗方案的設計要緊緊圍繞提出的問題和假設來進行．在研究一種條件對研究對象的影響時,所進行的除了這種條件不同外,其它條件都相同的實驗,叫做對照實驗．一般步驟：發現并提出問題；收集與問題相關的信息；作出假設；設計實驗方案；實施實驗并記錄；分析實驗現象；得出結論．調查是科學探究的常用方法之一．調查時首先要明確調查目的和調查對象,制訂合理的調查方案．調查過程中有時因為調查的范圍很大,就要選取一部分調查對象作為樣本．調查過程中要如實記錄．對調查的結果要進行整理和分析,有時要用數學方法進行統計．收集和分析資料也是科學探究的常用方法之一．收集資料的途徑有多種．去圖書管查閱書刊報紙,拜訪有關人士,上網收索．其中資料的形式包括文字、圖片、數據以及音像資料等．對獲得的資料要進行整理和分析,從中尋找答案和探究線索．

美的電飯煲哪個型號比較好

美的電飯煲比較好的型號有：

1、美的電飯煲MB-WFS5017TM

這款是美的智能電飯煲，具有5L大容量，可達3-10人使用，非常適合大家庭使用，煲膽運用匠銅聚能釜材質，導熱均勻，耐磨損，不粘鍋，也很容易清潔，擦一下就干凈，采用渦輪蒸汽閥，持續大沸騰，米飯更透芯，強氣破泡，煮粥不溢出。

搭載金屬拉絲機身，表面選用高品質材料，觸摸手感很細膩順滑，并且顏值非常高，帶有三大簡單功能，老人也能輕松操作，一煲多用，有多種米飯口感選擇。

還有24小時預約功能，不用早起也能喝到粥，下班一回到家就能吃到香碰碰的米飯，省時又省心。

2、美的電飯煲MB-FB40S701

這款美的電飯煲外觀很精美，玄武灰金屬機身配色，實屬王者風范，煮飯很快，具有18分鐘熱水快煮功能，很省時間，能快速吃到米飯，還有45分鐘香濃粥，大火持續加熱，煮出來的粥香濃口感好。

還能用來做菜，美的美居APP智能互聯，帶有海量食譜，想吃什么菜都能一鍵搞定。采用IH立體環繞加熱，可以還原地道柴火飯味道，讓米飯香軟Q彈，20分鐘持續沸騰，吸水利落，米飯粒粒飽滿有韌性，不夾生，300pa微壓燜煮，鎖住米香，讓米飯更營養健康。

采用加厚精鐵釜內膽，聚能鎖熱，不粘涂層設計，不臟底不粘鍋，輕松清潔。同樣有24小時智能預約，下班就能開飯，還擁有4L大容量，滿足3-8人需求，還帶有8大烹飪功能，蒸煮熱飯，燜肉燉湯都可以，非常的實用。

3、美的電飯煲MB-FB40E511

這款美的電飯煲具有4L容量，足夠一家8口人使用，具有微壓快煮功能，勻熱氧化盤高速傳熱，持續沸騰不溢出。

米粒透芯更飽滿，煮出香甜好米飯，采用蒸汽補炊，充分釋放米飯營養，采用五層圓灶釜內膽，不會糊底不會粘鍋，清潔簡單，帶有三大達人食譜，想吃什么煮什么。

優化密封圈設計，防止水滴落入米飯或桌面，影響米飯口感。支持全天24小時預約，讓您隨時都能吃到可口飯菜，并且內蓋可以一鍵拆洗，干凈不藏污垢，減少細菌殘留，用得放心吃得放心。

4、美的FS406C

美的FS406C電飯煲獨特聚能循環加熱系統，底盤大功率加熱為主，四周、上蓋聚能儲熱為輔，保證360度均勻受熱，沸騰更充分。

米粒得到充分的沸騰，就如同柴火米飯般松軟有嚼勁，讓你尋回兒時的味道。電飯煲采用新一代黃金蜂窩內膽，底部蜂窩設計超強聚能，導熱技術鎖住水份，最大程度還原柴火米飯的味道，飯香濃郁，飯粒更加晶瑩剔透。

5、美的FZ4082電飯煲

美的FZ4082電飯煲采用了棕色設計的外觀，煲身為拉絲鋼，操控面板上置，大屏幕點陣液晶，光線反射下有種暗金的光澤，色調低調高貴。

整體比較圓潤，給人一種小家碧玉的感覺。電飯鍋上蓋面板設有智能控壓的排氣裝置，超大防溢，解決傳統飯煲排氣不足的問題。

PP后面的牌號，如PP6， PP8， PPT 等 都代表什么？ 全一點。

聚丙烯，英文名稱:Polypropylene，簡稱:PP。由丙烯聚合而制得的一種熱塑性樹脂。按甲基排列位置分為等規聚丙烯（isotaeticPolyProlene）、無規聚丙烯（atacticPolyPropylene）和間規聚丙烯（syndiotaticPolyPropylene）三種。

1111_聚乙烯、聚丙烯、E/VAC國家標準牌號命名說明附錄二 聚乙烯、聚丙烯、E/VAC國家標準牌號命名說明

本《產品目錄》中的聚乙烯、聚丙烯和E/VAC牌號的命名是按照相應的國家標準的命名方法命名的，上述國家標準都參照采用相應的國際標準ISO，現作如下簡介。

1 國家標準牌號的基本模式：

聚乙烯、聚丙烯和乙烯－乙酸乙烯脂共聚物的牌號命名是由五個特征單元組成，特征單元之間用連字符（－）連接，在特征單元之間如有某個特征單元不采用，則用兩個連字符（――）連接，若處在最末端的特征單元不用，則連字符（――）可省略。

國家標準牌號命名形式為：

各個特征單元內說明的內容均以代號表示，其中：

特征單元 1:

表示聚乙烯的縮寫代號為英文字母PE；

表示乙烯－乙酸乙烯酯共聚物的縮寫代號為E/VAC；

表示聚丙烯的縮寫代號為英文字母PP；

表示丙烯聚合物的類型的縮寫代號為：

H－丙烯均聚物；

R－丙烯無規共聚物；

B－丙烯嵌段共聚物；

表示乙酸乙烯酯含量檔次及代號：

代號含量范圍，%

03＞3≤5

08＞5≤10

13＞10≤15

18＞15≤20

特征單元2：

表示材料的主要用途和加工方法、重要性能及添加劑等均用相應的英文字母作代號。在本《產品目錄》中最多有四個代號，最少只有一個代號。代號自左至右排列，依次稱第一位、第二位、第三位和第四位。表示材料主要用途或加工方法在第一位寫出，重要性能、添加劑等在第二至第四位寫出。

特征單元2中所用的代號：

代號第1位代號第2～4位

C壓延A加工穩定

E擠出管材、型材和片材B抗粘連

F擠出平膜、薄膜和薄片D粉狀

G通用L耐光和（或）氣候老化

H涂覆P沖擊改性

I吹塑S潤滑

J電纜護套X可交聯的

M注塑Z抗靜電

Q壓塑H耐熱老化

T擠出扁絲

Y紡絲

特征單元3：

在本特征單元中涉及三個方面內容，即：

聚合物的密度標稱值；

熔體流動速率測試條件；

熔體流動速率標稱值。

這三個方面內容的排列順序為先表示聚合物密度標稱值，次表示熔體流動速率測試條件，最后表示熔體流動速率標稱值。

根據不同的聚合物，在牌號命名中并不把上述三個方面內容都表示出來：聚乙烯牌號的命名中把這三個方面內容都表示出來；聚丙烯牌號的命名中只表示熔體流動速率標稱值；乙烯－乙酸乙烯脂共聚物則表示熔體流動速率標稱值及熔體流動速率測試條件二個方面內容。

特征單元3中的密度標稱值檔次代號及范圍表示：

代號范圍，g/cm3（23℃）

08≤0.910

13＞0.910≤0.916

18＞0.916≤0.921

23＞0.921≤0.925

27＞0.925≤0.930

特征單元3中的熔體流動速率測試條件表示：

代號測試溫度標稱負荷

D190℃2.16kg

特征單元3中的熔體流動速率標稱值檔次代號及范圍表示：

代號范圍，g/10min

000≤0.1

001＞0.1≤0.2

002＞0.2≤0.3

003＞0.3≤0.4

006＞0.4≤0.8

012＞0.8≤1.5

022＞1.5≤3.0

045＞3.0≤6.0

075＞6.0≤9.0

105＞9.0≤12

140＞12≤16

180＞16≤20

225＞20≤25

300＞25≤35

425＞35≤50

特征單元4：

在本《產品目錄》牌號中不涉及。

特征單元5：

需作補充說明的內容。在本《產品目錄》中，僅用于區別國家標準命名相同的牌號。

國家標準牌號命名舉例：

例一 聚乙烯牌號為：PE－FSB－23D022

例二 聚丙烯牌號為：PPB－MP－225――M

例三 乙烯－乙酸乙烯脂共聚物牌號為：E/VAC 13－G－D045

22222 聚乙烯、聚丙烯、E/VAC企業標準牌號命名說明

低密度聚乙烯樹脂企業標準牌號命名方法

聚乙烯樹脂牌號的命名是由二個部分組成：第一部分為材料的主要用途或加工方法的代號表示，第二部分為材料的熔體流動速率公稱值的代號表示。

企業標準牌號命名的基本模式示意圖：

主要用途或加

工方法的代號熔體流動速率

公稱值的代號

第一部分：

材料的主要用途和加工方法，用漢字拼音字母的第一個字母為代號，本《產品目錄》中選用如下代號表示：

Q─輕膜；D─電纜料；ZH─注塑料

N─農膜；DJ─交聯電纜基料；Z J─蘸浸料。

Z─重膜；F─復合膜；E─管材

B─薄型薄物；L─流延膜；　

第二部分：

熔體流動速率公稱值的代號，是以熔體流動速率公稱值乘以100倍后的數值表示之，但不得少于三個整數。如果乘100倍后只有二個整數，則應在這二個整數前面加上一個0；如果乘100倍后的數值為四個整數，則就將這個數作為代號。

例一：MFR為2 2100=200 則以200為代號；

例二：MFR為0.45 0.45100=45 則以045為代號；

例三：MFR為20 20100=2000 則以2000為代號。

第二部分的補充說明：

為了區別材料由于造粒次數不同而命名相同的牌號，則在牌號命名中對熔體流動速率代號的末位數以“0”或“1”來區別：即以“1”表示該材料只經過一次造粒，而以“0”表示該材料經過二次造粒。

二、聚丙烯樹脂企業標準牌號命名方法

聚丙烯樹脂牌號的命名是由三個部分組成：第一部分為材料的主要用途或加工方法的代號表示，第二部分為材料的熔體流動速率公稱值的代號表示，第三部分是以聚合物聚合類型的代號表示。

企業標準牌號命名的基本模式示意圖：

加工方法

的代號熔體流動速率

公稱值的代號聚合物聚合

類型的代號主要用途或

特征的代號

第一部分：

材料的加工方法，用英文第一個字母為代號，本《產品目錄》中選用如下代號表示：

F─擠壓平膜；I─吹塑薄膜；Y─紡絲；

FC─擠出平膜芯層；M─注塑；　

H─涂覆；T─擠出扁絲；　

第二部分：

熔體流動速率公稱值代號的表示方法與聚乙烯樹脂相同。

第三部分：

當聚合物的聚合類型為均聚物時，第三部分省略。其它的聚合物聚合類型代號的表示方法為：

E─無規共聚物；

EP─無規三元共聚物；

M─低乙烯含量的嵌段共聚物；

R─中乙烯含量的嵌段共聚物；

U─高乙烯含量的嵌段共聚物；

H─超高乙烯含量的嵌段共聚物。

第三部分的補充說明：

必要時在第三部分末端列出材料的主要用途或特性的代號。例如：

A─抗靜電級H─耐熱老化

B─抗粘連L─耐光和（或）氣候老化

C─可控流變NA─鍍鋁

D─醫用耐射線專用料S─潤滑

G─通用級T─煙用濾嘴絲束專用料。

三、乙烯－乙酸乙烯酯共聚物企業標準牌號命名方法

該產品的牌號命名是由二個部分組成：第一部分是以乙烯－乙酸乙烯酯共聚物別名EVA表示，第二部分是由一個分式表示：其中分子表示乙酸乙烯酯（VA）含量的標稱值，而分母則表示熔體流動速率（MFR）的標稱值。

企業標準牌號命名的基本模式示意圖：

EVA表示VA含量標稱值/MFR標稱值

333333 聚乙烯、聚丙烯、E/VAC國家標準牌號與企業標準牌號對照表

表1 聚乙烯國家標準牌號、引進牌號及企業標準牌號對照表

序號國家標準牌號引進牌號企業標準牌號

1PE－FSB－27D075YM61B700

2PE－KA－18D001WC30D015

3PE－KA－18D002EC30D024

4PE－MX－18D012EF30D110

5PE－MX－23D022DJ200

6PE－MX－23D022－－ADJ210

7PE－H－13D045LK30FH400

8PE－CSB－23D045ZK60L400

9PE－CSBA－23D045ZK61L401

10PE－GAS－18D012YF30N110

11PE－FAS－18D012AF30N150

12PE－FAS－18D022AH40N220

13PE－FAS－18D045YK30N400

14PE－FASB－18D045YK31N401

15PE－FAS－18D045AK30N450

16PE－FSB－23D022YH50Q200

17PE－FSBA－23D002－－BQ201

18PE－FSB－23D022－－ANH50Q280

19PE－FSBA－23D022－－ANH51Q281

20PE－FSB－23D045－－AQ310

21PE－FSB－23D045YK50Q400

22PE－FA－18D002ZE33Z025

23PE－FA－18D002－－AZ030

24PE－FAS－18D006HE30Z045

25PE－M－18D001ZH015

26PE－M－18D006ZH080

27PE－M－18D012ZH110

28PE－M－18D012－－AZH120

29PE－M－18D012－－BZH150

30PE－M－23D022－－AZH200

31PE－M－18D022－－AZH220

32PE－M－23D022ZH280

33PE－M－18D045ZH400

34PE－M－23D045ZH410

35PE－M－18D075ZH700

36PE－M－18D100ZH1200

37PE－MA－13D200MS30ZH2000

38PE－M－18D300ZH3000

39PE－HAS－23D300ZJ2600

表2 聚丙烯國家標準牌號、引進牌號及企業標準牌號對照表

序號國家標準牌號引進牌號企業標準牌號

1PPH－F－022S38FF180

2PPH－F－022－－AF280

3PPH－F－045F350

4PPR－F－075EP1X35FF800E

5PPH－T－075X30SI800

6PPH－TS－075X37FI900

7PPR－T－022EP2S34FI180E

8PPH－E－003D60PM030

9PPH－E－006Q30PM070

10PPH－M－012M150

11PPH－M－022－－BM180

12PPH－M－022M300

13PPH－M－045M500

14PPH－M－075M700

15PPH－M－105M1100

16PPH－M－140V30GM1600

17PPH－M－225M2600

18PPB－Q－006EQP30MM080M

19PPB－M－012EPS30RM150R

20PPB－M－045EPT30RM350R

21PPB－M－075EPC30RM700R

22PPB－M－140EPF30RM1300R

23PPB－MP－225HHP1M2101R

24PPB－MP－225－－MHHP2M2102R

25PPB－MP－300M3000R

26PPB－MP－012－－AEPS30UM150U

27PPB－MP－105SP179M800U

28PPH－T－022T230

29PPH－T－022－－AT30ST300

30PPH－T－045T350

31PPH－YL－045C30SY600

32PPH－YL－105F30SY1200

33PPH－YL－140Y1600

34PPH－YL－180Y2000

35PPH－YL－225Z30SY2600

36PPH－YL－300H30SY3000

37PPH－YL－425Y3500

38PPH－YL－225Y2600T

39PPH－FZ－022S38FAF200A

40PPH－MZ－300H32GAM3500CA

41PPR－FZ－075EP1X34AFF850EA

42PPR－FZB－075EP1X35AFF850EBA

43PPH－M－225Z11GM2500CD

44PPH－MZ－425H23GM3700C

45PPH－YH－300YZ22SY2500C

46PPH－YH－425H22SY3700C

47PPR－FH－045EP3C37FF500EPS

48PPR－FHS－045EP3C39FF500EP

49PPR－FHS－075EP3X37FF800EPS

50PPH－YL－022S81SY180L

51PPH－FH－022S28FF200

52PPH－YL－022――AYS33LSY200L

53PPH－F－045――AT36FF320

54PPR－M－075EP2X32GAM800E

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