TI3SIC2是什么材料的簡單介紹
今天給各位分享TI3SIC2是什么材料的知識,其中也會對進行解釋,現(xiàn)在開始吧!
sic是什么材料
SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。

碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
其結(jié)合力非常強,在熱、化學、機械方面都非常穩(wěn)定。SiC存在各種多型體(多晶型體),它們的物理特性值各有不同。
碳化硅(SiC)材料是功率半導體行業(yè)主要進步發(fā)展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。
Ti3是什么材料
Ti3是鈦合金
Ti3(Ti-6Al-4V)鈦合金是世界上開發(fā)最早,應(yīng)用最廣的鈦合金。它的產(chǎn)量約占世界各種鈦合金半成品總產(chǎn)量的一半以上,在航空航天工業(yè)中80%。
Al通過固溶強化想提高合金的室溫強度和熱強性能,而V既提高強度又改善塑性。V還能抑制2超結(jié)構(gòu)相的形成,避免合金在長時間使用過程中出現(xiàn)合金脆化。
第一代、第二代、第三代半導體材料分別是?
1.第一代半導體材料主要是指硅(Si)、鍺元素(Ge)半導體材料。作為第一代半導體材料的鍺和硅,在國際信息產(chǎn)業(yè)技術(shù)中的各類分立器件和應(yīng)用極為普遍的集成電路、電子信息網(wǎng)絡(luò)工程、電腦、手機、電視、航空航天、各類軍事工程和迅速發(fā)展的新能源、硅光伏產(chǎn)業(yè)中都得到了極為廣泛的應(yīng)用,硅芯片在人類社會的每一個角落無不閃爍著它的光輝。
2.第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料,如砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb);三元化合物半導體,如GaAsAl、GaAsP;還有一些固溶體半導體,如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半導體(又稱非晶態(tài)半導體),如非晶硅、玻璃態(tài)氧化物半導體;有機半導體,如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。
3.第三代半導體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶半導體材料。在應(yīng)用方面,根據(jù)第三代半導體的發(fā)展情況,其主要應(yīng)用為半導體照明、電力電子器件、激光器和探測器、以及其他4個領(lǐng)域,每個領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)成熟度各不相同。在前沿研究領(lǐng)域,寬禁帶半導體還處于實驗室研發(fā)階段。
擴展資料
Si和化合物半導體是兩種互補的材料,化合物的某些性能優(yōu)點彌補了Si晶體的缺點,而Si晶體的生產(chǎn)工藝又明顯的有不可取代的優(yōu)勢,且兩者在應(yīng)用領(lǐng)域都有一定的局限性,因此在半導體的應(yīng)用上常常采用兼容手段將這二者兼容,取各自的優(yōu)點,從而生產(chǎn)出符合更高要求的產(chǎn)品,如高可靠、高速度的國防軍事產(chǎn)品。因此第一、二代是一種長期共同的狀態(tài)。
但是第三代寬禁帶半導體材料,可以被廣泛應(yīng)用在各個領(lǐng)域,消費電子、照明、新能源汽車、導彈、衛(wèi)星等,且具備眾多的優(yōu)良性能可突破第一、二代半導體材料的發(fā)展瓶頸,故被市場看好的同時,隨著技術(shù)的發(fā)展有望全面取代第一、二代半導體材料。
參考資料百度百科——半導體材料
碳化硅是什么材料?
碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。
用途:
1、在電氣工業(yè)中,碳化硅可用做避雷器閥體、硅碳電熱元件、遠紅外線發(fā)生器等。
2、在航天工業(yè)中,用碳化硅制造的燃氣濾片、燃燒室噴嘴已用于火箭技能中。
3、低檔次的碳化硅可用做煉鋼脫氧劑及鑄鐵添加劑。
4、在炭素工業(yè)中,碳化硅可用來出產(chǎn)煉鐵高爐用磚,如石墨碳化硅、氮化硅結(jié)合的碳化硅磚等。
5、在石墨電極出產(chǎn)中,碳化硅還用做耐氧化涂層電極的涂層耐火燒結(jié)料的配猜中,以添加涂層對溫度急劇改變的承受才能。
6、在特種炭素資料——生物炭的制造中,常以丙烷和三氯甲基硅烷為氣體質(zhì)料,經(jīng)高溫熱解反響,在石墨基體上堆積生成含硅熱解炭涂層,以添加制品的硬度、強度和耐磨性。
太空時代不可或缺的金屬材料是什么
作為航空航天工業(yè)的基礎(chǔ),材料工業(yè)的發(fā)展決定著國防工業(yè)所能攀爬的高度,所謂的“一代材料,一層高度”是航空航天科技圈的真實寫照。
通常條件下,航空航天飛行器是在超高溫、超低溫、高真空、高應(yīng)力、強腐蝕等極端條件下工作,除了依靠優(yōu)化的結(jié)構(gòu)設(shè)計之外,更主要的是依賴于材料所具有的優(yōu)異特性和功能。由此可見,航空航天材料在航空航天產(chǎn)品發(fā)展中的具有極其重要的地位和作用。
單晶高溫合金
單晶高溫合金在950-1100℃ 溫度范圍內(nèi)具有優(yōu)良的抗氧化、抗熱腐蝕等綜合性能,成為高性能先進航空發(fā)動機高溫渦輪葉片的主要材料。我國研制了 DD402、DD406等單晶合金。其中第一代單晶合金DD402在1100℃ 、1300MPa應(yīng)力下持久壽命大于100h ,適合制作工作溫度在1050℃以下的渦輪葉片,是國內(nèi)使用溫度最高的渦輪葉片材料;第二代單晶合金DD406含2%Re,使用溫度可達800-1100℃ ,正在先進航空發(fā)動機上進行使用考核。
鎳基超合金
鎳基超合金具有良好的高溫蠕變特性、高溫疲勞特性以及抗氧化、抗高溫腐蝕等綜合性能,滿足了高推重比先進發(fā)動機的使用要求。為了使渦輪機葉片能夠承受遠超過Ni熔點的溫度,除了升高Ni基超合金的使用溫度外,還在基體表面涂敷絕熱層 (TBC),以及采取冷卻措施等降低基體溫度。CMSX-10、Rene N6等含Re為5%-6%的第3代單晶體Ni基超合金,其使用溫度達到1050℃ 。近年來美國通用電氣公司(GE)、法國史奈克馬公司(SENCMA)和日本國家材料科學研究所(NIMS)開發(fā)了第4代單晶體Ni基超合金,該合金不僅添加了Re,還添加了2%-3%的Ru,以提高合金組織的穩(wěn)定性。 NIMS?研制了第 5?代單晶體Ni 基超合金,在第 4?代合金的基礎(chǔ)上增加了 Ru 含量,使合金的耐用溫度達到 1100℃ 。
金屬間化合物
金屬間化合物是近幾十年來研究的一類前景廣闊、低密度的高溫材料。目前,金屬間化合物中熔點超過1500 ℃的就有 300多種,其中 Mo3Si、 Re3Nb、 W2Hf2等金屬間化合物的熔點都超過了2000℃ 。近年來Ti-Al 和 Ni-Al系材料的力學性能及應(yīng)用研究取得了令人矚目的成就。
難熔金屬材料
難熔金屬( W、Re 、Mo、Nb等)及其合金具有高熔點、耐高溫和強抗腐蝕能力等優(yōu)點,應(yīng)用于固液火箭發(fā)動機和航天發(fā)動機等場合。其中研究和應(yīng)用最多的主要是 W、Re 、Mo、Nb等金屬。
金屬陶瓷材料
金屬陶瓷是介于高溫合金和陶瓷之間的一種高溫材料。碳硅化鈦(Ti3SiC2)是其中研究最多的一種材料,具有耐高溫、抗氧化能力強、強度高、熱穩(wěn)定性高的特點,又具有金屬材料的導電、導熱、可加工性、塑性等優(yōu)異性能,是一種綜合陶瓷材料。碳硅化鈦在1200-1400℃ 高溫下,強度比目前最好的耐熱合金還高,又易加工,故完全可作高溫結(jié)構(gòu)材料用,其高溫強度與抗氧化、抗熱震等性能優(yōu)于 Si3N4?,有可能用于未來航空發(fā)動機制作導向葉片或渦輪葉片。
金屬基復合材料
金屬基復合材料與傳統(tǒng)金屬材料相比,具有更高的比強度、比剛度、耐高溫和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性等優(yōu)異性能。鈦基、鈦鋁化合物基和高溫合金基復合材料耐溫能力較強,是航空發(fā)動機中溫(650-1000℃)部件的候選材料。
陶瓷基復合材料
陶瓷基復合材料具有密度低、耐高溫、高熱導率、高彈性模量等優(yōu)異的物理性能,并能在高溫下保持很高的強度、良好的抗熱震性和適中的熱膨脹率,對減輕發(fā)動機渦輪葉片質(zhì)量和降低渦輪葉片冷氣量意義重大,是高溫領(lǐng)域最有前途的材料。在2000℃ 以上氧化氣氛中可用的候選材料主要是碳化物和硼化物。
樹脂基復合材料
樹脂基復合材料憑借比強度高、比模量高、耐疲勞與耐腐蝕性好和阻噪能力強等優(yōu)點,在航空發(fā)動機冷端部件(風扇機匣、壓氣機葉片、進氣機匣等)和發(fā)動機短艙、反推力裝置等部件上得到了廣泛應(yīng)用。樹脂基復合材料已經(jīng)發(fā)展到了耐溫 450℃ 的第四代聚酰亞胺復合材料,形成了從 280-450℃ 涵蓋四代的耐高溫樹脂基復合材料體系。
防護涂層
目前,對于鎳基高溫合金而言,主要使用的防護包括擴散涂層、包覆涂層、熱障涂層及新型高溫涂層。
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