【摘要】：用慢應變速率法(SSRT)研究奧氏體不銹鋼316Ti和316NG在酸性硫酸根離子介質(zhì)中的應力腐蝕(SCC)行為。結果表明:在酸性硫酸根離子環(huán)境中,316Ti產(chǎn)生應力腐蝕的臨界濃度比316NG的高,但316NG的裂紋擴展速率比316Ti大。用電化學陽極極化法比較了兩種奧氏體不銹鋼在酸性硫酸根離子介質(zhì)中的抗腐蝕性能的差異,結合微觀分析,探討了SO_4(2-)離子對奧氏體不銹鋼的SSRT-SCC損傷機理。