本篇文章給大家談談si原材料是什么意思，以及材料中si的作用對應的知識點，希望對各位有所幫助。

不銹鋼中Si、Mn、Nb、Ti、Mo、Cu、N、C各代表什么元素呢？

不銹鋼中Si、Mn、Nb、Ti、Mo、Cu、N、C元素各代表：硅、錳、鈮、鈦、鉬、銅、氮、碳。

不銹鋼是不銹耐酸鋼的簡稱，耐空氣、蒸汽、水等弱腐蝕介質或具有不銹性的鋼種稱為不銹鋼；而將耐化學腐蝕介質（酸、堿、鹽等化學浸蝕）腐蝕的鋼種稱為耐酸鋼。

擴展資料

主要特性

焊接性

產品用途的不同對焊接性能的要求也各不相同。一類餐具對焊接性能一般不做要求，甚至包括部分鍋類企業。但是絕大多數產品都需要原料焊接性能好，像二類餐具、保溫杯、鋼管、熱水器、飲水機等。

耐腐蝕性

絕大多數不銹鋼制品要求耐腐蝕性能好，像一、二類餐具、廚具、熱水器、飲水機等，有些國外商人對產品還做耐腐蝕性能試驗：用NACL水溶液加溫到沸騰，一段時間后倒掉溶液，洗凈烘干，稱重量損失，來確定受腐蝕程度（注意：產品拋光時，因砂布或砂紙中含有Fe的成分，會導致測試時表面出現銹斑）

拋光性能

當今社會不銹鋼制品在生產時一般都經過拋光這一工序，只有少數制品如熱水器、飲水機內膽等不需要拋光。因此這就要求原料的拋光性能很好。

為什么Si單質是玻璃的主要原料?含SiO2也能叫含Si單質嗎?

Si單質可不是玻璃的主要原料，玻璃的主要原料是白沙子，主要成分SiO2，為了降低成本，以用回收廢瓶子碎玻璃為宜

Si有什么性質?

物理性質：

有無定形硅和晶體硅兩種同素異形體。晶體硅為灰黑色，無定形硅為黑色，密度2.32-2.34克/立方厘米，熔點1410℃，沸點2355℃，晶體硅屬于原子晶體。不溶于水、硝酸和鹽酸，溶于氫氟酸和堿液。硬而有金屬光澤。

化學性質：

硅有明顯的非金屬特性，可以溶于堿金屬氫氧化物溶液中，產生（偏）硅酸鹽和氫氣。加熱下能同單質的鹵素、氮、碳等非金屬作用，也能同某些金屬如Mg、Ca、Fe、Pt等作用。生成硅化物。

不溶于一般無機酸中，可溶于堿溶液中，并有氫氣放出，形成相應的堿金屬硅酸鹽溶液，于赤熱溫度下，與水蒸氣能發生作用。

擴展資料：

高純的單晶硅是重要的半導體材料。

在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半導體；摻入微量的第VA族元素，形成n型半導體。p型半導體和n型半導體結合在一起形成p-n結，就可做成太陽能電池，將輻射能轉變為電能。

在開發能源方面是一種很有前途的材料。另外廣泛應用的二極管、三極管、晶閘管、場效應管和各種集成電路（包括人們計算機內的芯片和CPU）都是用硅做的原材料。

熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。

單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。

單晶硅棒是生產單晶硅片的原材料，隨著國內和國際市場對單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。

參考資料來源：百度百科—Si

能不能給一下這個材料具體一點的信息

砷化鎵（英文名稱為Gallium arsenide，化學式為GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物。也是很重要的半導體材料，被用來制作像微波集成電路（例如單晶微波集成電路 MMIC）、紅外線發光二極管、雷射二極管和太陽電池等元件。

砷化鎵的優點

GaAs擁有一些比Si還要好的電子特性，如高的飽和電子速率及高的電子移動率，使得GaAs可以用在高于250 GHz的場合。如果等效的GaAs和Si元件同時都操作在高頻時，GaAs會擁有較少的噪聲。也因為GaAs有較高的崩潰電壓，所以GaAs比同樣的Si元件更適合操作在高功率的場合。因為這些特性，GaAs電路可以運用在移動電話、衛星通訊、微波點對點連線、雷達系統等地方。GaAs曾用來做成Gunn diode (中文翻做甘恩二極管或微波二極管) 以發射微波。

GaAs的的另一個優點：它是直接能隙的材料，所以可以用來發光。而Si是間接能隙的材料，只能發射非常微弱的光。(但是，最近的技術已經可以用Si做成LED和運用在雷射。)

因為GaAs的切換速度很快，所以GaAs被認為是電腦應用的理想材料。1980年代時，大家都認為微電子市場的主力將從Si換成GaAs。首先試著要去改變的有超級電腦的供應商Cray電腦公司、Convex電腦公司，Alliant電腦系統公司，這些公司都試著要搶下CMOS微處理器技術的領導地位。Cray公司最后終于在1990年代早期建造了一臺GaAs為基礎的機器，叫Cray-3。但這項成就還沒有被充分地運用，公司就在1995年破產了。

硅的優點

Si比GaAs好，有三個主要理由。第一，Si制程是大量生產且便宜的制程。且Si有較好的物理應力，所以可做成大尺寸的晶圓（現今，Si晶圓直徑約為300 mm，而GaAs晶圓最大直徑約只有150 mm）。在地球表面上有大量Si的原料：硅酸鹽礦。硅工業已發展到規模經濟（透過高的產能以降低單位產品的成本）的情形了，更降低了工業界使用GaAs的意愿。

第二個主要的優點是，Si很容易就會變成二氧化硅（在電子元件中，這是一種很好的絕緣體）。二氧化硅可以輕易地被整合到Si電路中，且二氧化硅和Si擁有很好的界面特性。反觀，GaAs不能產生一層穩定且附著在GaAs上的絕緣層。

第三，大概也是最重要的Si的優點，是Si擁有高很多的電洞移動率。在需要CMOS邏輯時，高的電洞率可以做成高速的P-通道場效應晶體管。如果需要快速的CMOS結構時，雖然GaAs的電子移動率快，但因為它的功率消耗高，所以使的GaAs電路無法被整合到Si邏輯電路中。

砷化鎵的異質結構

因為GaAs和AlAs的晶格常數幾乎是一樣的，所以可以利用分子束磊晶（molecular beam epitaxy, MBE）或有機金屬氣相磊晶 （metal-organic vapour phase epitaxy，MOVPE，也稱做有機金屬化學氣相沉積法），在GaAs上輕易地形成異質的結構，如成長砷化鋁（AlAs）或砷化鋁鎵（AlxGa1-xAs）合金。且因為成長出來的層應力很小，所以幾乎可以成長任意的厚度。

GaAs的另一個很重要的應用是高效率的太陽電池。1970年時，Zhores Alferov和他的團隊在蘇聯做出第一個GaAs異質結構的太陽電池。 用GaAs、Ge和InGaP三種材料做成的三接面太陽電池，有32%以上的效率，且可以操作在2,000 suns下的光。這種太陽電池曾運用在探測火星表面的機器人：精神號漫游者 (spirit rover) 和機會號漫游者 (opportunity rover)。而且很多太陽電池都是用GaAs來做電池陣列的。

利用Bridgeman技術可以制造出GaAs的單晶，因為GaAs的力學特性，所以用Czochralski法是很難運用在GaAs材料的。但，曾經有人有Czochralski法做出超高純度的GaAs當做半絕緣體。

安全

GaAs的毒性至今仍沒有被很完整的研究。因為它含有As，經研究指出，As是有毒的，As也是一種致癌物質。但，因為GaAs的晶體很穩定，所以如果身體吸收了少量的GaAs，其實是可以忽略的。當要做晶圓拋光制程（磨GaAs晶圓使表面微粒變小）時，表面的區域會和水起反應，釋放或分解出少許的As。就環境、健康和安全等方面來看GaAs（就像是三甲基鎵 trimethylgallium和As）時，及有機金屬前驅物的工業衛生監控研究，都最近指出以上的觀點。

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